三星晶片路線圖：2020年突破4nm工藝
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外芯房5月26日訊 三星電子有限公司近日更新了它的鑄造技術路線圖，包括第二代FD-SOI平台詳細設計、5nm體矽 FinFET 工藝流程以及2020年4nm post FinFET結構工藝流程風險性試產。
上周，三星將晶片製造業務獨立出來，成立三星晶圓代工廠。
三星重申了此事，並計劃於2018年把極紫外（EUV）光刻技術投入7nm生產。
「我們對鑄造技術路線圖非常有信心，不只停留在規划上，還將在未來兩三年內將路線圖變為現實，」三星晶圓代工長市場部高級主管凱爾溫·洛（Kelvin Low）說。
三星宣布，三星將使用全新的MBCFETTM(多橋接通道場效應電晶體)結構，採用三星特有的GAAFET(環繞柵極場效應電晶體)技術，藉助Nanosheet設備克服FinFET技術的物理和性能限制。
三星的路線圖希望2020年將MBCFET技術用於4nm（LPP）風險性試產。
三星今年將進行8nm工藝投產，2018年把極紫外（EUV）光刻技術投入7nm LPP生產。
2019年則進行5nm、6nm LPP試產。
遠紫外（EUV）光刻技術獲實質進展，193nm Immersion Lithography (浸沒式光刻)技術將投入生產。
台積電（TSMC）和Globalfoundries宣布將於2019年使用EUV投入生產。
Kelvin Low說，EUV生產能力是每天1500片。
三星每天生產已經超過1000片，很有信心信心能夠做到每天生產1500片。
「我們有信心，我們已經準備好在2018年用EUV進行生產，」Kelvin Low說。
「這不再是一個概念路線圖。
」
Kelvin Low表示，三星，不像一些競爭對手，將10納米作為「長周期節點」 ，該節點性能和功耗可以領先相當一段時間。
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