7nm剛剛到來，三星就表示2021年將要量產3nm
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因為智慧型手機業務低迷加上存儲晶片降價，三星2018年Q4財報並不好看，環比下跌了38.5%，為了彌補損失，三星開始強化代工業務，同台積電之間的競爭越發激烈，並且跟後者搶先進的工藝量產時間。
就在前不久，三星高管表示：他們將會在下半年開始量產7nm EUV工藝，2021年則會量產更先進的3nm GAA工藝。
GAA（Gate-All-Around），意指通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能。
關於三星能否在2021年量產3nm GAA，業內人士其實並不看好，去年的時候，三星就宣傳2020年量產4nm GAA，以目前的進展，三星量產的最多只是風險試產，還沒有達到預期規模的量產數量，能否趕超台積電搶先拿下一部分市場還需要努力。
好消息是，三星在去年12月份已經完成了對3nm工藝技術的性能驗證，並且進一步完善了工藝，官方給出的時間是2020年，三星內部人員更認為2021年是量產的好時機，同時在7nm EUV上三星還擁有自主研發的光罩檢查工具，這兩點都要優於台積電，所以三星在晶片行業的布局其實已經對台積電產生了不小的威脅。
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