TSMC:7nm高性能晶片6月流片,2019年試產5nm工藝
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三星今天宣布了未來三年的半導體製造工藝路線圖,將推出8nm、7nm、6nm、5nm及4nm工藝,其中2020年的4nm工藝將是一個重大技術突破,將會採用全新的Multi Bridge Channel
FET結構(簡稱MBCFET,多溝道場效應管)解決現有FinFET電晶體的缺陷。
無獨有偶,三星的老對手TSMC今天也召開了年度技術大會,雖然沒有宣布三星4nm那樣的技術突破,不過TSMC表示10nm已經開始量產,7nm明年就能量產,5nm則會在2019年風險試產。
TSMC公司聯席CEO魏哲家在會議上提到他們已經累計服務了450多家代工夥伴,涉及移動運算、高性能計算、自動駕駛及IoT物聯網等領域,平均算下來每周新增一家客戶。
在半導體製程工藝上,TSMC表示移動領域的10nm工藝已經量產,7nm已經有12個客戶流片,預計2018年量產,5nm則會在2019年風險試產。
高性能部分,7nm晶片在6月份會有流片——TSMC的高性能客戶不多(相對移動、低功耗產品來說),NVIDIA還有之前的AMD都算是高性能晶片用戶,目前公開宣布7nm路線圖的也沒幾家,NVIDIA的7nm晶片大概沒這麼早,AMD倒是說今年晚些時候有7nm晶片流片,不過時間也不太對得上。
雖然AMD之前公布的路線圖中說7nm還是繼續由GF代工,但是從之前雙方的晶圓供應協議來看,AMD在7nm節點保留了選擇別的代工夥伴的權利,GPU這種高性能晶片轉交給TSMC代工也不是沒可能。
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除此之外,TSMC的16nm FFC晶片在車載電子領域也會有8款晶片流片,7nm工藝還將在2018年通過AEC-Q100認證。
物聯網方面,TSMC的55nm、40nm及28nm ULP工藝今年會有超過70款晶片流片。
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