台積電三星步步緊逼，英特爾建7nm工廠正面回擊

在今年的CES上，高通正式發布了全球首款基於10nm製程工藝的晶片驍龍835，該晶片採用的是三星的10nm工藝。

雖然目前基於台積電10nm工藝的晶片尚未正式發布，不過已有多家客戶開始採用，並且有些已經進入了量產階段。

不過，在眾多業內人士看來，10nm可能也只一個過渡性節點，除了尺寸實現了一定的縮小外，功耗有所降低之外，其在性能提升上並沒有完全遵循摩爾定律。

與10nm相比，7nm在物理尺寸上將縮小1.5~1.9倍，雖然各家晶片代工廠在實際比例上會有些細微差別，但是都能夠在同樣面積中增加更多的電晶體，速度也應該有提，7nm被認為將是更為長壽的重要節點。

為此，三星和台積電在推動10nm量產的同時，也在積極研發7nm。

有消息稱，目前台積電已經完成了第一個7nm FinFET工藝原型晶片的生產，並且在今年第二季度開始進行大批量生產，同時將開始使用7nm FinFET工藝為蘋果iPhone和iPad生產更節能的新處理器。

與此同時，三星半導體高管也確認將在明年初正式投產7nm工藝。

相比台積電和三星近兩年的進步「神速」，英特爾這兩年的主力仍然還是14nm，以至於被不少人吐槽為「擠牙膏」。

不過，在今年的CES上，英特爾展示了一款基於其10nm製程工藝的Canonlake平台晶片的筆記本產品，同時英特爾宣布，10nm將於今年年底前正式推出。

此外，英特爾日前在業績電話會議上也透露，為了進一步探索晶片生產工藝，將在今年建立一座7nm試驗工廠。

據Mercury Research首席分析師Dean McCarron稱，「這條試驗生產線是為了搞清楚如何進行晶片的量產。

一旦確定了製作工藝，其他的工廠就會進行複製。

」英特爾表示，他們將試圖憑藉著7nm工藝回到2年生產周期，同時使用奇特的III-V材料（比如氮化鎵）來進行晶片生產，在提高性能速度的同時實現更長續航。

雖然從目前來看，英特爾在10nm和7nm節點上似乎比台積電和三星都要落後，但是實際上正如此前外界所曝光的那樣，台積電和三星在16/14nm節點上都開始玩起了數字遊戲。

實際上台積電和三星的16nm只相當於英特爾的20nm，10nm只相當於英特爾的12nm。

而現在這個遊戲還在繼續。

英特爾院士Mark Bohr此前就曾指出，雖然目前晶片製程世代或節點名稱說法與晶片上的功能多有脫勾，但英特爾公司的10nm世代所能達到的密度，將比目前14nm晶片甚至其他業者的10nm產品還要高。

顯然，這裡的「其他業者」指的就是三星和台積電。

從目前來看，雖然英特爾的10nm雖然可能要比台積電和三星晚個大半年的時間，但是其性能相比後兩者都更高。

此外，雖然英特爾並未公布其7nm推出的具體時間點，但是從目前的信息來看，英特爾正在加快進度，以回擊台積電和三星的挑釁。

作者：芯智訊-林子

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