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延伸文章資訊
《矽基GaN HEMT和SJ MOSFET技術及成本比較》
GaN on Si HEMT vs SJ MOSFET: Technology and Cost Comparison——逆向分析報告
三星挑戰矽基半導體極限 即將宣布3nm以下工藝路線圖
在半導體晶圓代工市場上,台積電TSMC是全球一哥,一家就占據了全球50%以上的份額,而且率先量產7nm等先進工藝,官方表示該工藝領先友商一年時間,明年就會量產5nm工藝。在台積電之外,三星也在加...
摩爾定律說矽基晶片物理極限7nm,為何台積電能做5nm晶片?
晶片裡面有數億計的電晶體,它的結構主要是由漏極、源極和柵極構成的,漏極和源極負責電流流通,柵極就起到開關控制的作用。像晶片的納米其實就是電晶體柵極的寬度,柵極更短,同尺寸的晶圓上就可以加入更多的...
台積電實現5mm晶片,突破摩爾定律的物理極限7nm矽基晶片
從目前的晶片製造來看,實現摩爾定律,晶片製造工藝必須不斷提升。工藝節點從90nm、65nm、40nm、28nm、16nm到現在的7nm,晶片廠家不遺餘力地減小電晶體柵極寬度來達到工藝的升級,但到...