解讀全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
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2010 年起因為從2G 進入3G 時代(2010~2013) ,帶動智慧行動裝置高速起飛,帶動了射頻前端代工廠商業績騰飛。
但是2013 後因為有Si 製程的PA 高性價比的替代品出現(CMOS PA/MMPA) ,使得出現產業替代危機。
但到了2013年後,壓抑產業的不利因子逐漸消失淡化(因為高通與Skyworks推出Si製程MMPA , CMOS PA , 主打高性價比策略) 。
緊接著,時代潮流轉進高頻多頻帶無線通訊後(eg 4G) , 不管是高中低階, 4G手機滲透率開始起飛,更有利的是所需PA元件用料從以往3G的3~5顆,4G要變多到4~6顆,其他像是WIFI 11.ac
,基地台的射頻模組等等也是需要多加用料。
這就增長了對射頻器件的需求。
由於3-5族的元件物理特性遠優於Si製程元件(低耗、體積小、放大效率佳、高頻線性度佳等等) , 故風水轉回3-5族元件,這就讓相關的產業鏈廠商大放異彩。
其中砷化鎵晶圓代工龍頭穩懋就是最大的受益者。
穩懋:全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭
穩懋成立於1999年10月,是亞洲首座以六吋晶圓生產砷化鎵微波通訊晶片的晶圓製造商,自2010年為全球最大砷化鎵晶圓代工廠。
公司主要從事砷化鎵微波集成電路 (GaAs MMIC)晶圓之代工業務,提供HBT、pHEMT微波集成電路/離散元件與後端製程的晶圓代工服務,應用於高功率基地台、低雜訊放大器(LNA)、射頻切換器(RF Switch)、手機及無線區域網路用功率放大器 ( PA )與雷達系統上。
砷化鎵電晶體製程技術分為三類:
A.異質接面雙極性電晶體(HBT)
B.應變式異質接面高遷移率電晶體(pHEMT)
C.金屬半導體場效電晶體(MESFET)。
公司所提供是HBT和pHEMT,頻譜範圍由1GHz到100GHz,滿足低頻到高頻應用。
射頻模組中的各電路產品中,功率放大器(PA)系以HBT來設計,而微波開關器(RF switch)則利用D-mode pHEMT來設計。
公司領先全球研發於六吋砷化鎵基板,同時製作二種以上高效能之元件,以整合晶片製程上之技術,並縮小射頻模組電路面積、降低成本。
公司在0.25微米的pHEMT製程擁有領先技術,在製程縮微方面,也已經切入0.1微米領域,高階製程持續領先同業。
穩懋為全球第一大砷化鎵晶圓代工廠,製程與技術都自行開發而非客戶技轉( 宏捷科由Skyworks 技轉) ,全球產生量市占率約20% ,代工市場市占率50% 以上,目前月產能約24000 片。
產品應用為手機相關營收50-55 %, WiFi 比重30-35 %,利基型產品(Infrastructure) 15-20 %。
另外, HBT 用於手機PA ,營收占比60-70 %, PHEMT
主要用於switch ,營收占比20-30 %, BiHEMT 用於利基型產品例如IOT ,營收占比小於5 %。
客戶包含Avago( 營收占比約30%~40% 為最大客戶) 、Skyworks 、RFMD 、Anadigics 、Murata 等國際大廠與中國白牌手機供應商RDA 。
2013 年度砷化鎵元件市場( 含IDM) 總產值為64.7E 美元,較2012 年成長11% ,其中穩懋產值市占率為5.4% 排行第五。
2013 年代工市場規模為5.65E 美元,其中穩懋市占率為62.4% ,為全球大一大砷化鎵晶圓代工廠商。
拜產線多樣化與產品組合優化外,該公司毛利率穩定維持在30~35% 左右,營業利益率與凈利率也尚屬平穩。
2016年,公司宣布跨入光通訊市場,並自建EPI,主要提供美國、日本、加拿大客戶客制化一條龍生產服務,包括磊晶、二次磊晶及光電元件製造,材料及元件特性描述、測試服務;其中,磊晶與光電製造能力可供2、4吋的磷化銦基板使用。
射頻從業者必看,全球最大的砷化鎵晶圓代工龍頭解讀
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