文章標籤：全球首條成功量產英寸GaN晶圓代工世界先進

全球首條成功量產的8英寸GaN晶圓代工線，世界先進造

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5G高頻率特性讓氮化鎵（GaN）半導體製程成為功率放大器（PA）市場主流技術，同時，GaN功率元件也開始被大量應用在車聯網及電動車領域。

看好GaN市場強勁成長爆發力，世界先進經過3年研發布局，今年矽基氮化鎵（GaN-on-Si）製程將進入量產，成為全球第一家提供8英寸GaN晶圓代工的業者，大啖5G及車電市場大餅。

台積電及世界先進近年來積極投入GaN製程研發，今年可望開花結果，合力搶進快速成長的GaN晶圓代工市場。

台積電與德商戴樂格（Dialog）等客戶合作，已開始提供6英寸GaN晶圓代工服務；世界先進與設備材料廠Kyma、轉投資GaN矽基板廠QROMIS攜手合作，去年底已成功試產8英寸GaN晶圓，今年將成為全球首家提供8英寸GaN晶圓代工服務的業者。

相較於矽製程及砷化鎵（GaAs）等成熟半導體技術，GaN是相對較新的製程。

隨著5G技術即將全面商用，基地台升級商機龐大，由於5G技術上採用更高操作頻率，業界對於GaN元件將逐步取代橫向擴散金氧半導體（LDMOS）並成為市場主流技術已有高度共識。

另外，在手機PA元件部份，3G及4G主要採用GaAs製程，5G因為高頻的關係，讓GaN製程的PA元件很有機會成為市場新主流。

市調機構拓墣指出，GaN因具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使晶片面積可大幅減少，並能簡化周邊電路的設計。

同時，低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，對於電動車續航力的提升有相當的幫助。

在射頻及PA元件、與車用電子等相關晶片市場中，包括恩智浦、英飛凌、德儀等IDM廠位居主導地位，但在GaN技術上，IDM廠反而開始透過晶圓代工廠取得產能。

也因此，世界先進順利搶進8英寸GaN晶圓代工市場，可望爭取到更多5G及車電等相關晶圓代工訂單。

世界先進去年合併營收年減3.6%達新台幣249.10億元，歸屬母公司稅後凈利年18.7%達新台幣45.05億元，每股凈利新台幣2.75元，符合市場預期。

由於8英寸晶圓代工產能吃緊，加上矽晶圓價格看漲，世界先進與客戶協商後已小幅調漲第一季晶圓代工價格，由於產能全年供不應求，價格應可逐季調漲，有助於營收及獲利表現。

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