3nm的大麻煩

來源：內本文由 半導體行業觀察（ID：icbank）翻譯自semiengineering，謝謝。

隨著晶片製造商開始在市場上推進10nm/7nm技術，供應商也在為下一代3nm電晶體類型的開發做準備。

有些公司已經宣布了3nm工藝的具體計劃，但向3nm節點的過渡預計將是一個漫長而坎坷的過程，充滿了一系列技術和成本方面的挑戰。

例如，3nm晶片的設計成本可能會超過10億美元之巨！此外，3nm也存在一些不確定因素，這些不確定因素可能在一夜之間改變一切。

然而，這並未讓任何廠商缺席。

三星和GlobalFoundries分別宣布計劃開發一種新的電晶體技術，稱為nanosheet FET，即所謂3nm的可變柵寬度技術。

例如，三星希望在2019年之前推出PDK（V0.01版），並計劃在2021年投入生產。

與此同時，台積電正在研發3nm的nanosheet FET及其相關技術——nanowire FET，但台積電尚未公布最終計劃。

與此同時，英特爾尚未談到它的計劃。

電晶體在晶片中起開關的作用。

目前最前沿的電晶體工藝——finFET已經發展到了16nm/14nm和10nm/7nm。

2020年前後，預計5nm finFET將會出現，但是除非有新的突破，否則finFET可能會止步於3nm。

這就是為什麼行業正在研發nanosheet FET和nanowire FET，它們被認為是當今finFET的前進之路。

在finFET中，對電流的控制是通過在鰭片的三個面上施加柵極來實現的。

nanosheet FET和nanowire FET都被歸為環柵技術（gate-all-around）。

它們在結構的四個面施加柵極，從而能夠更好地控制電流。

在nanosheet和nanowire中，finFET被放置在它的一側，然後被分割成分離的水平片，組成溝道。

柵極環繞著溝道。

與nanowire FET相比，nanosheet FET具有更寬的溝道，這意味著器件具有更強的性能和更大的驅動電流。

這就是為什麼nanosheet在市場上越來越受歡迎。

但是遷移到nanosheet FET或nanowire FET並非易事。

首先，環柵器件的性能和微縮效益值得商榷。

國際商業戰略公司（IBS）執行長Handel Jones表示：「行業需要大幅增強功能，小幅提高電晶體成本，以此證明使用3nm技術是合理的。

問題在於3nm工藝節點的定義，以及理解環柵技術真正的優點所在。

」.

設計成本也是問題之一。

據IBS稱，一般而言，IC設計成本已從28nm平面器件的5130萬美元上漲到7nm的2.97億美元和5nm的5.422億美元。

但是3nm的IC設計成本從5億—15億美元不等。

15億美元這個數字涉及到英偉達的複雜GPU。

因此，客戶在考慮遷移到3nm之前，可能會在某些節點停留更長時間，比如16nm/14nm和7nm。

有些客戶可能永遠不會遷移到3nm。

如果環柵技術出現，那麼3nm可能會在2021年的目標日期之後推出。

還有一些客戶可能轉向nanosheet，但這將是一項艱巨的任務。

為了幫助行業占得先機，Semiconductor Engineering已全面分析了環柵技術及其製造所面臨的挑戰。

縮減選項

IC市場分為幾個部分。

在行業前沿，晶片製造商正在300mm晶圓廠以16nm/14nm和更高級的節點生產晶片。

在這些晶圓廠中，晶片製造商也用16nm/14nm以上的幾個節點生產晶片。

其次，對更老的200mm晶圓廠的晶片也有巨大的需求。

並非所有客戶都需要領先節點上的晶片。

聯電業務發展副總裁Walter Ng表示：「如果你計算成本，計算結果會很容易告訴你，獲得回報是非常困難的，因為finFET的成本仍然很高。

實現首個finFET工藝節點是一回事，突破它是另一回事。

只有少數人能負擔得起。

」

然而，有一些應用需要最新的工藝，比如機器學習、伺服器和智慧型手機。

D2S公司執行長Aki Fujimura表示：「當然，我們這些從事半導體製造軟體的人肯定需要更強的計算能力。

如果我們今天用同樣的成本獲得10倍的計算能力，我們會很高興。

公平地說，所有科學和工程計算社區都處於類似的境地，」

在前沿陣地，行業多年來一直可以滿足需求。

在每一個節點上，晶片製造商都將電晶體規格縮小0.7倍，使整個行業在每一個節點上都能實現15%的性能提升，外加35%的成本降低、50%的面積增益和40%的功率降低。

2011年發生了重大飛躍，當時英特爾從平面電晶體轉向22nm finFET。

代工廠緊隨其後，採用16nm/14nm finFET。

FinFET以更低的功耗提供更高的性能。

但是在每個節點上，finFET的工藝成本和複雜度都在急劇上升，所以現在，縮小節點的完整周期已經從18個月延長到30個月甚至更長。

此外，鮮有代工廠客戶能夠負擔遷移到高級節點的高昂費用。

未來，由於成本原因，客戶可能會在某些節點停留更長時間。

例如，7nm finFET為大多數應用提供了足夠的功耗、性能和面積微縮優勢。

GlobalFoundries首席技術官Gary Patton表示：「7nm將成為一個長期存在的節點。

」

然而，一些晶片製造商計劃將finFET延伸到5nm。

但在5nm處，設計成本上升。

此外，5nm finFET的微縮效益也值得商榷。

Patton 表示：「5nm將成為半工藝節點之一。

在性能提升和微縮方面，它與10nm和20nm非常相似。

」

自此，行業正在研究將finFET延伸到3nm的方法。

到目前為止，研究遇到了障礙，這意味著finFET可能會在3nm停止前進的勢頭。

Imec半導體技術和系統執行副總裁An Steegen表示：「我們花了很多時間，行業也花了很多時間，仍然在努力尋求提升性能的方法，以實現3nm finFET。

例如，如果我們能夠在低k間隔（low-k spacer）中找到突破，那將對finFET的性能有很大幫助。

但如今，它並沒有創造出實現3nm目標所需要的價值。

如今，finFET在3nm開始變得艱難。

所以，在3nm，我們需要為finFET找到一個性能強大的助推器，否則我們只好做出改變，例如nanosheet。

」

行業在不久前認識到了這一點。

多年來，行業一直在評估下一代電晶體的幾種選擇，例如環柵、TFET、垂直nanowire和使用III-V族材料的finFET。

曾經，nanowire FET最受歡迎。

如今，nanowire仍然可行，但nanosheet越來越火熱。

TFET和垂直FET的製造對於今天的技術而言還太過困難。

不過，nanowire和nanosheet之間存在一些權衡。

Lam Research公司Coventor計算產品副總裁David Fried表示：「僅僅從nanowire和nanosheet的角度來看，nanosheet通常比nanowire性能更強。

它有更寬的溝道，驅動電流更大，而且從反演的角度來看，它會更穩定。

它要考慮未來的密度微縮vs nanowire的抉擇。

這是一個權衡。

」

對比這兩種技術，nanosheet FET有一些優勢。

三星公司邏輯部高級副總裁S.D. Kwon表示：「nanosheet是環柵最現實的結構。

它的nanosheet寬度可變，90%以上的工藝與finFET相同。

」

去年，三星在4nm上推出了所謂的多橋溝道FET（MBCFET）。

MBCFET本質上是nanosheet FET。

最近，三星表示它將在3nm，而非4nm上出貨這款器件。

此外，其他公司也在開發這種技術，GlobalFoundries正在開發一種類似的技術。

GlobalFoundries的Patton說：「我們的下一個節點很可能會涉及nanosheet。

這絕不僅僅是從finFET向前發展的一個步驟而已。

」

與此同時，台積電透露正在將finFET延伸到5nm。

在3nm，該公司正在同時研發nanowire FET和nanosheet FET。

台積電研發、設計和技術平台高級副總裁Y.J. Mii表示：「我們正在關注這兩種技術。

」目前，台積電尚未公開宣布最終決定。

顯然，在3nm，代工廠之間的競爭正在升溫。

PDF Solutions公司新產品&方案部門副總裁Klaus Schuegraf表示：「環柵技術對於代工廠是一個機會，首先引入這種新的器件架構不僅可以展現出製造領先，而且也展現出技術領先。

但所有這些架構的改變都會讓你付出一些成本。

你要花錢去搞新的表征技術，購買新工藝設備。

這是一項艱巨的工作。

」

此外，製造成本巨大。

IBS公司的Jones表示：「3nm工藝開發成本為40—50億美元，每月40000片晶圓的製造成本將達150—200億美元。

」

再者，即使採用新的電晶體結構，微縮的效益也在降低，而成本卻在上升。

三星器件方案部門代工業務執行副總裁兼總經理E.S Jung表示：「在14nm之前，每個節點的性價比有30%的提升。

從14nm到10nm，有20%以上的提升。

10nm以下也有20%以上的提升。

而在3nm，則只有約20%的提升。

」

鑒於此，問題在於nanowire/nanosheet是否會比finFET提供更多微縮或性能的優勢。

在最近的一篇論文中，Imec描述了一種有三個堆疊 sheet的nanosheet FET。

每個sheet寬20nm，器件的垂直間距為12nm。

Imec公司的nanosheet FET的柵極間距為42nm，金屬間距為21nm。

相比之下，5nm finFET可能會採用48nm的柵極間距和28nm的金屬間距。

基於這些指標，nanosheet FET比5nm finFET的微縮性能更強。

但是這項新技術有一些有趣的特性，它可以改變器件中的溝道或sheet的寬度。

例如，具有更寬sheet的nanosheet FET提供了更大的驅動電流和更強的性能。

更窄的nanosheet驅動電流較小，但占用的面積更小。

Imec公司邏輯集成和器件部門主管Dan Mocuta表示：「關鍵因素是可變寬度。

控制它比控制鰭片高度更容易些。

」

Mocuta 表示：「在finFET技術中，器件的寬度是量化的。

你可以有一個鰭片、兩個鰭片、三個鰭片，等等。

而在nanosheet技術中，固定數量的nanosheet彼此堆疊。

但是你可以改變寬度。

現在，器件寬度的變化是連續的，你可以自由使用，這在finFET中是不具備的。

例如，你想要一個能夠驅動大電流的區域。

或者想要一個面積非常小的SRAM。

總之，晶片中的不同需求都可以滿足。

」

Nanosheet很有前途，但並不是唯一的選擇。

有了技術突破，finFET可以延伸到5nm或更先進。

另一個選擇是等待行業開發出更好的電晶體。

還有一種方法是通過將多個器件放在更先進的封裝中來獲得微縮的好處。

圖案化nanosheet

與此同時，除了一些例外，環柵器件（nanosheet FET和nanowire FET）與finFET之間的工藝步驟是相似的。

然而，製造環柵器件是一項挑戰。

圖案化和缺陷控制只是其中的一些問題。

在nanosheet和相關器件中，第一步不同於finFET。

目標是使用外延反應器在襯底上製作超晶格結構。

超晶格層由矽鍺和矽的交替層組成。

一個堆疊至少由三層矽鍺和三層矽組成。

然後，在堆疊上繪製微小的sheet結構。

為此，行業需要極紫外（EUV）光刻技術。

Imec公司的Steegen表示：「問題是你如何在晶圓上實現圖案的繪製。

在finFET中，鰭片豎直且形狀規則。

你可以使用自對準間隔技術來繪製圖案。

對於nanosheet而言，我可以在單次曝光EUV中繪製出幾乎所有不同的線寬間距。

」

不過，採用EUV光刻，晶片製造商面臨著一些重新出現的挑戰。

GlobalFoundries高級研究員兼技術研究主管哈里·萊文森Harry Levinson表示：「從圖案化的角度來看，有趣的是，我們又回到了擁有不同寬度的器件的時代。

」

Levinson表示：「如果我們回到可變寬度，就像我們在平面電晶體時代所做的那樣，用EUV光刻技術直接繪製圖案是非常理想的。

但現在，如果我們回到與老式的平面電晶體具有相似圖案要求的器件，那麼我們就回到了非常苛刻的線邊緣粗糙度要求。

人們需要更小的LER。

」

LER的定義是特徵邊緣與理想形狀的偏差。

特徵邊緣的任何偏差都會影響電晶體的性能。

電晶體的挑戰

與此同時，在圖案化步驟之後，下一步涉及淺溝槽隔離結構的形成，然後是內部間隔的開發。

然後，採用置換工藝，在超晶格結構中去除矽鍺層。

轉而給矽層留下空間。

每個矽層形成了sheet的基礎，這便是器件中的溝道。

Imec公司的Mocuta表示：「你處理這些犧牲材料的方式是看輕柵極。

你必須要有一種化學物質，能夠進入並去除犧牲材料。

nanosheet越寬，去除這種材料就越困難。

它必須是各向同性的蝕刻，也必須是橫向蝕刻，具有非常高的選擇性。

」

挑戰是在底部的源/漏區進行各向同性的橫向蝕刻。

Mocuta表示：「這是一個需要解決的問題。

但有解決辦法。

」

最後，高k/金屬柵極材料沉積下來，從而形成柵極。

柵極環繞著每一個nanosheet。

對於這一步和其他步驟，行業需要新更先進的工具。

TEL公司研究員Kandabara Tapily在最近的IEEE國際互連技術會議（IITC）上說：「我們相信選擇性沉積和選擇性蝕刻將是接下來的節點的基礎。

我們關注的是選擇性工藝，而不僅僅是選擇性沉積。

沉積並不是實現選擇性的唯一途徑。

你必須關注選擇性蝕刻或者結合一些方法，從而實現選擇性。

」

選擇性蝕刻涉及原子層蝕刻（ALE）。

ALE技術由幾家供應商提供，它可以選擇性地去除目標材料而不損壞結構的其他部分。

大的間隙是一種稱為區域選擇性沉積的技術。

有了這個，我們的目標是在金屬介質上沉積金屬，或者在金屬上沉積金屬介質。

目前，這項技術尚在研發中。

互連的問題

互連也是一項挑戰。

互連是晶片中的微小銅布線方案，它在每個節點上變得越發緊湊，造成晶片中不必要的RC延遲。

為了解決這些問題，英特爾在10nm的兩個互連層上從傳統的銅材料轉向了鈷材料。

其他公司則堅持在7nm使用銅材料。

但目前還不清楚銅是否能延伸到3nm。

因此，該行業正在實驗其他金屬，如鈷和釕，用於互連。

對於這一點，現在說3nm會發生什麼還為時過早。

Applied Materials公司全球產品經理Jonathan Bakke表示：「在未來，金屬化將帶來更多挑戰。

整個行業對於5nm有清晰的發展藍圖。

除此之外，還有很多問題。

我們可以看到，在未來的幾年裡，環柵技術可能出現。

我們無法預測準確的時間，但是在這個領域裡有很多的工作要做。

」

工藝控制問題

檢測和計量也很重要。

晶圓檢測用於發現晶片中的缺陷，而計量是測量結構的方法。

環柵技術提出了一些挑戰。

KLA-Tencor工藝控制解決方案技術主管John McCormack表示：「在許多情況下，由於溝道被掩埋，我們無法再依靠CD-SEM測量，即使是工程級別的測量。

」

McCormack表示：「相反，我們需要增強型光學CD（OCD）計量系統和模型。

例如，在這些先進的器件結構中，內部間隔是決定柵極長度的最關鍵參數。

由於它們嵌入在被去除的矽鍺中，因此無法被自上而下的CD-SEM觀測到，因此需要高級的OCD測量。

此外，正如我們在從平面器件到finFET器件的過渡中看到的那樣。

由多個集成的單元工藝步驟所定義的臨界尺寸將會持續增加。

這似乎可能會延續利用多個測量步驟和類型進行SPC和APC控制的趨勢。

」

對於環柵工藝，晶片製造商不僅需要OCD，還需要透射電子顯微鏡、X-ray，以及其他技術。

可以肯定的是，行業可以製造出nanosheet。

這是一個可以完成的任務，但需要投入巨額資金。

問題是，從長遠來看，這是否值得。