三星霸氣宣布，三年後晶片要進入3納米時代，正式站上世界之巔！

作為晶片製造的一大頭，三星此前也已經宣布了其7nm LPP工藝將會在2018年下半年投入生產，此外，在Samsung Foundry Forum論壇上，三星更是直接宣布了5/4/3nm工藝技術。

三星還聲稱自家的 7 納米工藝全球首次使用了先進的 EUV 光刻解決方案。

經過多年的積澱，三星終於要站上世界之巔。

在目前國家大力補「芯」的背景下，三星的發展歷程可以說給我們提供了很好的借鑑，而其成功也證明了晶片並非只有歐美才能成為世界頂尖水平。

據了解，韓國在產業化的過程中，推進「政府+大財團」的經濟發展模式，並推動「資金+技術+人才」的高效融合。

1983年，歷經多年努力，三星的首個晶片工廠在京畿道器興地區落成，並在投產後很快便開始量產64位晶片。

這之後，三星的晶片事業進入了快車道，不久三星就開發了256位晶片、486位晶片，並正式進入全球晶片市場的競爭中；僅時隔10年，三星的量產晶片市場份額直逼日本。

之後，更是一騎絕塵，在晶片舞台越走越寬。

自1992年以來，英特爾一直是按銷售額計算的晶片市場領頭羊，不夠隨著智慧型手機的普及，PC市場的下降，這讓三星晶片業務受益。

此前三星還宣布，將投資180億美元擴建韓國半導體製造設施。

目前三星在NADA快閃記憶體和DRAM內存晶片領域占據優勢，這也是三星營收主要貢獻力量。

對於其他戲弄廠商而言，三星的晶片良品率更高，主要還是過去三星在這方面的持續投入。

如果三星的線路圖不變的話，三星會在 2019 年生產 5 納米晶片，2020 年生產 4 納米晶片，2021 年生產 3 納米晶片。

這意味著，未來三星將毒霸晶片世界！

目前，英特爾和台積電都沒有著手開發商用3納米技術，3nm GAAE/GAAP則採用了全新的GAA（Gate-All-Around，環繞柵極）納米技術，需要重新設計電晶體底層結構，克服當前技術的物理、性能極限，增強柵極控制，性能大大提升。