又玩數字遊戲?台積電第四代16nm要改名12nm?
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台積電正在先進半導體工藝路上狂奔,目前主打16nm,正在開始量產10nm,兩三年之內將陸續上馬7nm、5nm。
不過據台灣媒體報導,台積電還規劃了一個12nm工藝。
16nm變身12nm?又玩數字遊戲?
據爆料,台積電即將推出的所謂的12nm,其實是現有16nm工藝的第四代縮微改良版本,改用全新名字,目的是反擊三星、GlobalFoundries、中芯國際等對手的14nm工藝優勢,牢牢控制10-28nm之間的代工市場。
畢竟台積電新的10nm就要出來了,這時候再花精力去開發真正的12nm似乎是沒有太大的意義。
28nm時代開始,台積電就不斷改版來降低成本或提升性能,以求壓制競爭對手,比如說28nm工藝就先後有28LP、28HP、28HPL、28HPM、28HPC、28HPC+等眾多版本。
如今的16nm經過持續改良之後,漏電率大為降低,成本也有極大改善,為此台積電將其重新命名為12nm,搖身一變成為獨立的新工藝,自然更加誘人。
代工工藝進入FinFET時代以來,台積電16nm、三星14nm可謂棋逢對手,其實都非常優秀,但無論是技術還是數字,台積電都略微落後一些,因此在16nm發展到第四代,線寬微縮能力領先三星之後,12nm的出爐也就可以理解了。
而這樣的數字遊戲在半導體行業由來已久,最開始是三星在與台積電的競爭當中搶先將推出了14nm(實際上20nm工藝),所以隨後台積電隨後也被迫跟進玩起了數字遊戲,相比之下,一直被稱為擠牙膏的英特爾在命名規則上就規矩多了。
根據之前業內人士的爆料稱,三星的14nm以及台積電的16nm等於英特爾的20nm,他們的10nm等於英特爾的12nm。
看來台積電未來的7nm,也只比英特爾的10nm要好一點點。
這下GlobalFoundries尷尬了
今年9月,AMD宣布聯合GlobalFoundries跳過10nm,直接進軍7nm。
隨後,GlobalFoundries便推出12nm FD-SOI工藝參與市場競爭。
據了解GlobalFoundries推出的12nm FD-SOI工藝,是22nm FD-SOI工藝的後續,能夠以低於16nm FinFET的功耗和成本提供等同於10nm FinFET的性能。
該平台支持全節點縮放,性能比現有FinFET工藝提升了15%,功耗降低了50%。
而掩膜成本則比少於10nm FinFET工藝減少40%!
此外12nm FD-SOI工藝將提供業界最寬泛的動態電壓,通過軟體控制電晶體能力可帶來無與倫比的設計彈性,在需要時提供最高性能,靜態時則會具備更高能效。
據了解GlobalFoundries正在德國德勒斯登Fab 1晶圓廠推進12FDXTM工藝研發,預計2019年上半年有客戶晶片流片。
可以看出,GlobalFoundries的12nm FD-SOI工藝相比目前的16/14nm還是有一定的優勢的,但是推出時間相對較晚,要等等到2019年。
而台積電的這個12nm本身就是16nm基礎上的改良版,所以可能明年就會推出,並且相信屆時會拿下不少客戶。
這下GlobalFoundries的12nm真的是尷尬死了。
總的來說,如果台積電真的推出這個「12nm」,將有助於其與三星、GlobalFoundries、中芯國際等廠商在10-28nm代工市場之間的競爭。
不過不清楚三星是否會效仿台積電的做法也推出一個「12nm」。
另外,值得注意的是,大陸半導體廠商在完成28nm布局後,下一個目標將是卡位14nm,中芯國際預計2020年前量產14nm,華力微電子也規劃投產。
另據了解,台積電7nm將同時推出兩個不同版本,分別針對移動設備、高性能計算,滿足不同用戶需求。
編輯:芯智訊-浪客劍
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