英特爾10納米晶圓首亮相：打臉友商力守王者之位

2020-09-19

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【環球網科技記者林迪】近日，「英特爾精尖製造日」活動在京舉行。

英特爾公司執行副總裁，製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith否定了業界傳出的「摩爾定律失效」的說法，並且首次在中國展示英特爾首款10納米FPGA的計劃，並宣布了業內首款面向數據中心應用的64層3D NAND產品已實現商用並出貨。

「英特爾一直以來都是，並將繼續成為推動摩爾定律向前發展的技術領導者，目前英特爾在製程工藝上保持著大約三年的領先性。

」Stacy Smith進表示，英特爾推動摩爾定律不斷向前發展，每一年都持續降低產品價格並提升其性能，這也是英特爾的核心競爭優勢所在。

他提到，正是超微縮技術(hyper scaling)讓英特爾能夠加速推進密度的提升，藉助節點內優化，產品功能每年都可以實現增強。

據悉，英特爾10納米製程工藝擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，從而實現了業內最高的電晶體密度。

Stacy Smith指出，英特爾10納米製程的最小柵極間距從70納米縮小至54納米，且最小金屬間距從52納米縮小至36納米。

尺寸的縮小使得邏輯電晶體密度可達到每平方毫米1.008億個電晶體，是之前英特爾14納米製程的2.7倍，大約是業界其他「10納米」製程的2倍。

對於業界探討的「摩爾定律是否失效」的問題，Stacy Smith堅定的認為不會。

「每一個節點電晶體數量會增加一倍，14nm和10nm都做到了，而且電晶體成本下降幅度前所未有，這表示摩爾定律仍然有效。

」Stacy Smith解釋道，「創新技術，可以保證摩爾定律長期有效。

」

另外，現場還展出了經過展訊驗證的英特爾晶圓代工業務14 納米平台。

英特爾14納米製程採用第二代FinFET 技術，提升性能並降低漏電功耗。

英特爾高級院士馬博(Mark Bohr)介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細節。

22FFL是在2017年3月美國「英特爾精尖製造日」活動上首次宣布的一種面向移動應用的超低功耗FinFET技術。

英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實現超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。

此外，22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。

據悉，與先前的22GP(通用)技術相比，全新22FFL技術的漏電量最多可減少100倍。

22FFL工藝還可達到與英特爾14納米電晶體相同的驅動電流，同時實現比業界28納米/22納米平面技術更高的面積微縮。

22FFL工藝包含一個完整的射頻(RF)套件，並結合多種先進的模擬和射頻器件來支持高度集成的產品。

2017年6月，高通總裁里克·阿伯利曾表示，之前的處理器龍頭Intel在10nm製程技術明顯落後;高通方面也曾表示，驍龍835處理器採用的是三星10nm晶片製造技術，這意味著其移動晶片超過了個人計算機處理器。

在業內人士看來，一向低調的英特爾在活動當天不斷提到友商的問題;從來不跟友商比較的英特爾還明確地跟三星和TSMC在10納米技術上做對比。

尤其在媒體採訪環節，英特爾中國區總裁楊旭提到了製程節點命名的混亂，認為製程技術應該以實踐進行度量;在媒體的追問下，他給出強勢回應「老虎不說話(發威)，當我們病貓呢」。

最後，Stacy Smith認為，「我們在14nm上與競爭對手相比領先3年。

可以看到友商電晶體密度並沒有提升，友商10nm節點電晶體密度只相當於我們14nmd的電晶體密度。

」

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2020-09-02

領先對手三年！英特爾最強10nm工藝完全碾壓台積電、三星

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