領先一步,台積電完成5nm架構設計,早於英特爾、三星!
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晶片是電子設備發展的核心,同樣晶片的發展一直都格外地受到廣大業界人士和消費者的關注。
而此次又有關於晶片的新技術問世。
近日,台積電(TSMC)宣布,已經率先完成了基於EUV極紫外微影(光刻)技術的5nm架構設計,而且目前該5nm架構設計已經進入了試產階段。
目前在晶片領域製造水平最強的企業無疑是台積電、三星和英特爾,隨著近些年7nm架構技術的漸漸成熟,5nm技術便成了個大晶片企業極力發展的方向,而此次台積電完成5nm的架構設計更是走在行業的前端。
據悉,5nm技術相比於之前的7nm技術具有很大的提升。
比如,相比於7nm(第一代DUV)的技術,此款5nm的技術為基礎的晶片能夠提供1.8倍的邏輯密度,速度增快將近15%,在面積上也縮減45%。
同時,該晶片的性能進一步得到提高,但是卻可以極大地減小晶片的消耗。
而且,台積電在發展第一代5nm時,還引入了EUV技術,多達14層的規模,這在納米技術方面還是首例。
比如之前的7nm技術的EUV,還僅僅只有4層的規模。
可以說這次台積電的5nm技術在7nm的基礎上獲得了質的飛躍。
如今,伴隨著GF(格芯)、聯電退出7nm之爭,目前,能完成7nm以及更加先進的技術的也只有三星、英特爾、台積電這三家公司,而此次台積電在5nm上更是超過英特爾、三星,其進度也比另外兩家企業快。
雖說目前英特爾並沒有與英特爾達到競爭的地步,但是卻與三星形成直接的競爭關係,此次台積電的5nm研發的成功,也表示三星在5nm方面相比於台積電已經失去了優勢。
但是同樣不得不提的是,此次台積電在5nm方面的大放光彩,已經取得了在技術上的優先權,拉大了其自身與競爭者的差距,但是同樣,這也拉近了與中國在這方面的差距。
據悉,在去年的時候,我國中芯國際才僅僅發布關於14nm投入量產的消息,此外並沒有更進一步的消息發布。
可見,如今在晶片製造水平上,各企業以及我國內部的差距已經越來越大了。
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