三星開始量產導入EUV微影技術的7納米晶片
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三星於周四（10/18）表示，已完成所有製程技術的開發，已開始量產導入極紫外光（Extreme Ultraviolet，EUV）微影技術的7納米低功耗（7-nanometer Low Power Plus，7LPP）晶片。
三星越過了傳統的7納米製程技術，向台積電下戰帖，挑戰台積電目前於7納米製程市場的龍頭地位。
根據三星的說明，EUV使用13.5納米波長的光線來曝光矽晶片，而傳統的氟化氬（ArF ）氣體雷射浸沒技術則只能實現193納米波長，此外，EUV能夠只使用單一光罩模塊來創建矽晶片層，通過ArF最多需要4個光罩模塊，相較之下，7LPP將能減少20%的光罩模塊，節省客戶的時間與成本。
因此，與10納米的FinFET製程相較，導入EUV技術的7LPP因有較少的層數及較大的產量，大幅降低了製程的複雜度，且最多可提升40%的面積效率，因而可增加20%的性能或減少50%的功耗。
負責晶片代工業務的三星副總裁Charlie Bae表示，他們相信7LPP將不只是移動及高性能計算的最佳選擇，也將替各種尖端應用帶來契機，從5G、人工智慧、大規模數據中心、IoT、汽車到網絡等。
三星也計劃在2020年替客戶量產基於EUV的各種定製化晶片。
三星在製程上的跳躍是為了趕上全球晶片代工龍頭台積電，台積電為全球最早進入7納米晶片市場的半導體企業，在今年4月率先量產7納米晶片，也是蘋果7納米A12 Bionic晶片的獨家供應商。
根據AnandTech的報導 ，台積電已於特定非關鍵層採用EUV微影技術，相關晶片被歸類為第二代的7納米製程晶片（7+納米），並在今年10月上旬試產（Tapeout）。
此外，台積電也已準備在明年4月進入採用完整EUV微影技術之5納米製程的風險生產（ Risk Production）階段，預計於2020年的第二季量產。
在全球第二大晶片代工廠格羅方德（GlobalFoundries）於8月宣布將無限期擱置7納米FinFET製程之後，讓7納米晶片市場成為台積電、三星與英特爾三方競逐的局面，且目前看來英特爾也已被台積電及三星遠拋在後。
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