4nm製程大戰一觸即發!三星搶先用EUV,而GAAFET技術將取代FinFET

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晶圓代工之戰,7nm製程預料由台積電勝出,4nm之戰仍在激烈廝殺。

外媒稱,三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設備,又投入研發能取代鰭式場效電晶體(FinFET)的新技術,目前看來似乎較占上風。


Android Authority報導,製程不斷微縮,傳統微影技術來到極限,無法解決更精密的曝光顯像需求,必須改用波長更短的EUV,才能準確刻蝕電路圖。

5nm以下製程,EUV是必備工具。

三星明年生產7nm時,就會率先採用EUV,這有如讓三星在6nm以下的競賽搶先起跑,可望加快發展速度。

相較之下,台積電和格羅方德(GlobalFoundries)的第一代7nm製程,仍會使用傳統的浸潤式微影技術,第二代才會使用EUV。

製程微縮除了需擁抱EUV,也需開發FinFET技術接班人。

電晶體運作是靠閘極(gate)控制電流是否能夠通過,不過晶片越做越小,電流信道寬度不斷變窄,難以控制電流方向,未來FinFET恐怕不敷使用,不少人認為閘極全環場效電晶體(Gate-all-around FET,GAAFET)是最佳解決方案。

今年稍早,三星、格芯和IBM攜手,發布全球首見的5nm晶圓技術,採用EUV和GAAFET技術。

三星路徑圖也估計,FinFET難以在5nm之後使用,4nm將採用GAAFET。

儘管晶圓代工研發不易,容易遇上挫折延誤,不過目前看來三星進度最快。

該公司的展望顯示,計劃最快在2020年生產4nm,進度超乎同業,也許有望勝出。


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