三季度反轉,華為海思拉貨效應顯著,這幾家公司受益(附股)

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半導體:由於手機、通信、數據中心等下遊行業需求復甦回暖,同時日韓事件發酵進一步改變中期供給、華為引領國產半導體全面突破等因素影響。

國盛電子鄭震湘認為半導體行業從2019年Q3開始,業績同比、環比將有望四個季度以上持續高增長。

從設計、封測、製造三方面景氣度回暖在Q3都將進一步顯現,Q2設計公司全面增長僅僅是開始,Q3華為等效應將更加顯著。

國盛電子鄭震湘推薦相關公司:長川科技、長電科技、北京君正、兆易創新。

具體的詳細分析如下:

一、國產替代歷史性機遇開啟,今年正式從主題概念到業績兌現

逆勢方顯優質公司本色,19H1行業下行周期中A股半導體公司迭超預期,優質標的國產替代、結構改善逐步兌現至報表是核心原因。

海思國產鏈傳導受益路徑分析:

代工訂單:海思加大自研力度,追單台積電先進位程,同時傳統製程向中芯國際大量轉移,從而台積電、中芯國際產能利用率提升受益;

封測訂單:第一重受益海思自研產品提升(總盤子提升),第二重受益封測訂單由安靠等海外廠商向國內代工龍頭長電科技華天科技等廠商轉移,從而長電科技華天科技、通富微電等封測廠商產能利用率提升;

配套設備,材料:國內供應鏈占比提升後,國內封測廠追加產能,CAPEX提升,從而配套設備供應商及材料供應商或將從中受益。

相關公司:長川科技、長電科技

二、半導體之存儲:5G大幅催生數據存儲需求

①當前日韓貿易爭端發展趨勢將直接決定2019年DRAM能否提前見底甚至反轉,目前三星+海力士在全球DRAM/NANDFlash領域占據絕對領先份額,在核心材料出口受限下的風險敞口分別對應約64.7%/45.8%。

一旦發生實質性減產,則DRAM與NAND將在短期內結束下行周期,大機率迎來景氣反轉及短期價格大幅反彈。

②當前DRAM資本開支銳減、同時下游需求隨著數據中心增速恢復、5G換機周期開啟帶動下,有望於19Q4-20Q1見底。

相關公司:兆易創新、北方君正。

微信公眾號:ybs1088


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