台積電計劃導入EUV設備,引發群聚效應

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為對抗三星,台積電計劃導入極紫外光(EUV)微影設備,決定在7納米強化版提供客戶設計、並在5納米全數導入。

這項決定引發群聚效應,激勵相關設備供應鏈和材料廠全數動起來,搶進「台積大聯盟」,以分到市場。

台灣《經濟日報》報導,為爭取台積電訂單,美商科磊(KLA-Tencor)宣布推出全新搭配EUV的檢測設備、德商默克(Merck)在南科成立亞洲區IC材料應用研發中心,下月正式啟用。

據報導,半導體晶片原有193納米波長的浸潤機已無法滿足需求,必須升級13.5納米極紫外光(EUV),以降低晶圓製造的光罩數,縮短晶片製程流程。


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