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10納米製程競賽開打 英特爾台積電三星齊較勁

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半導體市場第2季需求明顯趨緩，但國際半導體設備材料產業協會（SEMI）公布2015年4月份北美半導體設備訂單及出貨金額，卻同步攀上近3年新高，其中有2個主要原因，一是內存廠力拚20納米DRAM製程微縮及3D NAND擴產；二是晶圓代工廠10納米製程競賽正式開打。

台積電16納米鰭式場效電晶體（FinFET）製程已進入量產階段，雖然進度上落後三星14納米FinFET製程，但台積電信心滿滿地認為第3季產能快速拉升後，明年將可奪回14/16納米FinFET製程市場占有率，且加計20納米的市占率將在明年遠遠超過競爭對手。

為了避免先進位程推進速度落後對手的情況再度發生，台積電今年拉高資本支出逾100億美元，全力投入10納米FinFET製程的研發，預計今年底就可開始試產，接受客戶的產品設計定案（tape-out），明年底將進入量產。

雖然台積電10納米進度仍落後半導體市場龍頭英特爾，但已明顯拉進雙方的技術差距。

不過，三星也非省油的燈，根據外電報導，三星在美國舉辦的會議中，宣布10納米FinFET製程將在明年底全面投產，時間點與台積電大致相同。

三星晶圓代工部門副總裁Hong Hao表示，三星10納米製程在功耗、晶片尺寸、效能上都有很大的優勢。

為了對抗台積電，三星的14納米布局也加速進行，與晶圓代工廠格羅方德進行策略聯盟。

三星位於韓國的2座晶圓廠、位於美國奧斯汀的12吋廠、以及格羅方德位於美國紐約州的晶圓廠，都已導入14納米製程並開始生產。

根據俄羅斯科技網站Mustapekka.fi獨家拿到的英特爾2013年-2016年計劃時程，英特爾打算在明年第3季發表採用10納米製程技術的「Cannonlake」處理器，而14納米的Skylake架構系列處理器則會如期在今年第4季問世。

（完）

來源：MoneyDJ新聞

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