台積電將於4月份揭秘3nm製程工藝詳情
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台積電在上周的財報會上宣布，2020年的資本開支是150到160億美元，其中80%將投向先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm。
雖然台積電在提到了3nm工藝，但具體的情況還需要等到4月的發布會，才會公開3nm工藝的詳情。
台積電在2019年宣布斥資195億美元建設3nm工廠，2020年會正式開工。
台積電在3nm節點上投入大量資金。
但技術細節一直沒有透露，台積電是否會與三星一樣選擇GAA電晶體，還是會繼續改進FinFET電晶體目前尚無定論，這兩種技術路線會影響未來很多高端晶片的選擇。
台積電3nm工藝技術最終選擇什麼路線，對半導體行業來說很重要，目前進入3nm節點的就剩下台積電和三星，英特爾一直沒有太多相關消息。
競爭對手的三星在2019年搶先公布3nm工藝，明確放棄FinFET電晶體，轉向GAA環繞柵極電晶體技術。
三星將3nm工藝分為3GAE、3GAP，後者的性能更好，首發第一代GAA電晶體工藝是3GAE工藝。
在同年的日本SFF會議上，三星公布3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%、功耗降低50%、性能提升35%。
根據官方的說法，三星通過使用納米片設備製造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
而且MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由於在7nm、5nm節點上都要落後台積電，所以三星押注3nm節點，希望在3nm節點上超越台積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會在2021年就要量產。
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