三星公布3nm GAA架構：性能達提升35%
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雖然日本嚴格管制用於半導體製造的原材料，將直接影響到三星晶片、面板的研發和生產。
三星在10nm、7nm及5nm節點的進度都比台積電要晚一些，讓台積電基本獨占了7nm晶片訂單，三星只拿到IBM、NVIDIA及高通部分訂單。
三星上周三在日本舉行的「三星晶圓代工論壇」SFF會議，公布旗下新一代工藝開發進展，包括明年將完成開發的3nm工藝，預計2021年量產。
三星同時公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星GAAFET工藝線路圖
三星3nm工藝將從FinFET電晶體轉向GAA環繞柵極，其中3nm工藝中使用的第一代GAA電晶體，三星官方稱為3GAE工藝。
根據官方的說法，三星基於全新的GAA電晶體結構，通過使用納米片設備製造出MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
環繞式柵極
三星2019年4月份在韓國華城的S3 Line工廠生產7nm晶片，年內完成4nm工藝開發，2020年完成3nm工藝開發。
不過完成開發並不意味著產品最終進入量產的時間可以確定，畢竟PPT與規模量產之間，依然存在巨大的鴻溝，畢竟完成開發到量產往往需要2~3年時間。
三星2021年量產3nm工藝 性能提升35%
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