投資200億美元對抗三星，台積電打響3nm狙擊戰
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在上周的說法會上，台積電宣布2020年的資本開支是150到160億美元，其中80%將投向先進產能擴增，包括7nm、5nm及3nm。
這次說法會上台積電沒有公布3nm工藝的情況，因為他們4月份會有專門的發布會，會公開3nm工藝的詳情。
台積電的3nm工藝技術最終選擇什麼路線，對半導體行業來說很重要，因為目前能夠深入到3nm節點的就剩下台積電和三星了，其中三星去年就搶先宣布了3nm工藝，明確會放棄FinFET電晶體，轉向GAA環繞柵極電晶體技術。
（參見：三星已攻克3nm關鍵GAA全能門技術！或將超越台積電實現翻盤）
具體來說，三星的3nm工藝分為3GAE和3GAP，這兩種製程性能更好，但是第一代的GAA電晶體技術是3GAE。
據官方表示，基於全新的GAA電晶體結構，三星通過使用納米片設備製造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管），該技術可以顯著增強電晶體性能，主要取代FinFET電晶體技術。
此外，MBCFET技術還能兼容現有的FinFET製造工藝的技術及設備，從而加速工藝開發及生產。
在2019年的日本SFF會議上，三星還公布了3nm工藝的具體指標，與現在的7nm工藝相比，3nm工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
三星計劃在2030年前投資1160億美元打造半導體王國，由於在7nm、5nm節點上都要落後於台積電，所以三星押注3nm節點，希望在這個節點上超越台積電成為第一大晶圓代工廠，因此三星對3GAE工藝寄予厚望，最快會在2021年就要量產。
至於台積電，在3nm節點他們也大舉投資，去年宣布斥資195億美元建設3nm工廠，2020年會正式開工，不過技術細節一直沒有透露，尤其是台積電是否會像是三星那樣選擇GAA電晶體或是會繼續改進FinFET電晶體，這兩種技術路線會影響未來很多高端晶片的選擇。
不管怎樣，台積電與三星3nm的關鍵之戰已開啟。
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