三星攻克3nm工藝關鍵GAA技術，或將領先台積電於2022年規模量產
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1月3日，據韓媒Business Korea報導，三星電子已經成功攻克了3nm和1nm工藝所使用的GAA （GAA即Gate-All-Around，環繞式柵極）技術，正式向3nm製程邁出了重要一步，預計將於2022年開啟大規模量產。
其實在一年前，三星就開展了在3nm GAA工藝的工作，當時他們的目標是2021年實現量產，並在2030年成為世界第一的晶圓代工廠。
三星對外宣稱的GAA技術英文名為Multi-Bridge Channel
FET（板片狀結構多路橋接鰭片），縮寫為MBCFET。
與FinFET的不同之處在於，GAA設計圍繞著通道的四個面周圍有柵極，從而確保了減少漏電壓並且改善了對通道的控制，這是縮小工藝節點時的基本步驟，使用更高效的電晶體設計，再加上更小的節點尺寸，和5nm FinFET工藝相比能實現更好的能耗比。
據了解，三星的3nm GAA工藝相比5nm工藝，可以讓晶片面積減少35%，功耗下降約50%，與5nm FinFET工藝相比，同樣功耗情況下性能提升33%。
並且，由於在3nm節點，三星採用了GAA工藝取代了之前的FinFET工藝，使得三星的3nm工藝整體表現要高於預期水平。
按照去年的說法，與7LPP工藝相比，三星原本預估3nm GAA工藝可將核心面積減少45%，功耗降低50%，性能提升35%。
而現在是將3nm同5nm進行對比，各方面表現又有了不小的提升。
而此前的資料顯示，三星的5nm FinFET工藝與7LPP相比，將邏輯區域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%。
值得一提的是，三星一直被詬病的電晶體密度仍然未被提及。
作為GAA技術的領頭羊，三星究竟能否藉由3nm工藝翻盤，還需要時間來證明。
反觀競爭對手台積電，該公司也已經在規劃3nm製程量產，其位於南科的3nm廠環評已於去年順利通過，落腳在新竹的3nm研發廠房環評也順利通過初審，等到環評大會確認結論後，預計可順利趕上量產時程。
而根據之前的預計，台積電3nm工藝將於2023年量產。
不過，最近台積電似乎將量產時間提前到了2022年，似乎正是為了應對三星的追趕。
日前，台積電創始人張忠謀在接受採訪時，也曾表示，三星是很厲害的對手，目前台積電暫時占據優勢，但僅僅只是贏了一兩場戰役，整個戰爭還沒有結束。
編輯：芯智訊-林子
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