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TSMC 2020年推5nm/EUV工藝，自信7nm工藝領先對手

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2015年Intel、三星、TSMC都已量產16/14nm FinFET工藝，下一個節點是明年的10nm，而10nm之後的半導體製造工藝公認越來越複雜，難度越來越高，甚至可能讓摩爾定律失效，需要廠商拿出更多投資研發新技術新材料。

TSMC在FinFET工藝量產上落後於Intel、三星，不過他們在10nm及之後的工藝上很自信，2020年就會量產5nm工藝，還會用上EUV光刻工藝。

TSMC日前舉行股東會議，雖然董事長張忠謀並沒有出席，不過兩大聯席CEO劉德音、魏哲家及CFO何麗梅都出席了會議，公布了TSMC公司Q2季度運營及技術發展情況，該公司調高了今年的資本支出到95-105億美元，高於Intel公司的90-100億美元，顯示對未來發展的看好。

至於工藝進展，劉德音公布了TSMC的2020路線圖，認為EUV光刻工藝在2020年時能有效降低量產5nm工藝的成本，TSMC計劃在5nm節點上應用EUV工藝以提高密度、簡化工藝並降低成本。

目前TSMC公司已經在7nm節點研發上使用了EUV工藝，實現了EUV掃描機、光罩及印刷的工藝集成。

TSMC表示目前他們有4台ASML公司的NX:3400光刻機在運行，2017年Q1季度還會再購買2台。

EUV是新一代半導體工藝突破的關鍵，但進展一直比較緩慢，至少比三星、TSMC兩家的嘴炮慢得多——早前TSMC宣稱在2016年的10nm節點就能用上EUV工藝，之後又說7nm節點量產EUV工藝，但現實情況並沒有這麼樂觀，現在他們的說法也是2020年的5nm節點，跟Intel的預計差不多了。

5nm還很遙遠，10nm及7nm還比較現實，TSMC表示他們的10nm工藝已經有三個客戶完成流片，雖然沒公布客戶名稱，但用得起10nm工藝的晶片也就是蘋果A10、聯發科X30（被海思、展訊刺激的聯發科在X30上爆發了）以及海思新一代麒麟處理器，流片的估計就是這三家了。

TSMC表示今年底之前還會有更多客戶的10nm晶片流片，該工藝將在2017年Q1季度量產。

至於7nm，TSMC表示他們已經提前256Mb SRAM晶片，進展順利，CEO表示相信TSMC的7nm工藝在PPA密度、功耗及性能方面要比對手更出色，已經有高性能客戶預計在2017年上半年流片，正式量產則是在2018年。

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