TSMC：我們早已生產7nm SRAM晶片，5nm也在準備中

作為地球上半導體工藝最先進的公司，Intel在14nm節點遭遇困難之後對後續工藝的態度就謹慎多了，下一代10nm工藝至少推遲到了2017年下半年了。

相比之下，以往在工藝進度上落後Intel的三星以及TSMC倒是一個比一個激進，工藝進度各種秒殺Intel，三星前不久才展示了10nm SRAM晶片，不過嘴炮更厲害的TSMC表示他們早就生產了7nm SRAM晶片了，還在積極準備下下下代的5nm工藝。

TSMC在16nm FinFET工藝上吃了進度落後的大虧，丟失了高通以及部分蘋果處理器訂單，所以他們在新一代工藝上加快了步伐。

目前16nm節點上，TSMC已經推出了16nm FinFET、高性能的FinFET Plus工藝以及最新推出的低功耗版16nm FFC工藝，前兩種工藝都已經量產，FFC工藝已經有27個方案流片，明年則有可能達到100個流片方案。

16nm之後TSMC會進入10nm工藝節點，三星在這方面搶先一步，上個月就宣布了10nm SRAM晶片了，不過TSMC聯席CEO劉德音在日前的供應鏈大會上表示TSMC早就使用7nm工藝生產了SRAM晶片了（小編很好奇如此利好為啥之前都不公開？），言外之意就是他們的進度比三星更快。

按照TSMC的說法，10nm FinFET工藝會在2016年初試產，7nm工藝則會在2017年初試產，算起來幾乎是一年刷新一次工藝，這個進度可比現在快多了，要知道28nm工藝差不多5年了還是目前的主流工藝。

別以為7nm工藝就是終點了，劉德音還提到了TSMC正在準備更更更先進的5nm工藝，雖然細節一無所知，但10nm工藝以下快要達到矽基半導體的極限了，升級越來越困難，需要採用不同的的光刻設備了，估計EUV光刻工藝在7nm及之後的工藝節點也準備的差不多了，在EUV推進中TSMC倒是比Intel還積極，早前有消息稱TSMC準備在10nm節點就啟用EUV工藝。

PS：對於三星和TSMC的嘴炮，大家淡定看待吧，10nm及之後的工藝進度公認越來越難，而Intel積累這麼多年，對先進工藝的進步反倒是越來越謹慎了，但是三星、TSMC看起來如有神助，恨不得一年升級一次工藝，難道瞬間就能超過Intel了？