TSMC宣稱7nm工藝良率「健康」,三星7nm要等EUV工藝成熟
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Intel宣布投資70億美元升級Fab 42工廠,3-4年後準備生產7nm工藝,拉開了下下代半導體工藝競爭的帷幕。
三星、TSMC日前也在ISSCC會議上公布了自家的7nm工藝進展,TSMC展示了7nm HKMG FinFET工藝的256Mb SRAM晶片,核心面只有16nm工藝的34%,而且良率很好,而三星展示的7nm
SRAM晶片只有8Mb,更多的是研究性質,他們要等EUV光刻工藝成熟。
在ISSCC國際固態電路會議上,各大半導體公司都公布了自家半導體技術的進展,AMD昨天提到的Ryzen處理器的核心面積就是在ISSCC會議上公布的,EEtimes現在又報導了TSMC和三星的7nm工藝進展情況。
TSMC的7nm 256MB SRAM晶片
TSMC雖然在16nm FinFET上吃過虧,不過他們在10nm、7nm工藝上野心勃勃,今年上半年將使用10nm工藝為蘋果量產A11處理器,這次公布的7nm工藝進展看起來也很順利。
TSMC公開了7nm工藝製造的256Mb SRAM晶片,位單元面積只有0.027um2,7層金屬層工藝,整個核心面積也只有42mm2。
根據TSMC存儲業務部門的高管Jonathan
Chang所說,TSMC的7nm工藝核心面積只有16nm工藝的0.34倍。
只有良率問題,TSMC在論文中表示7nm工藝良率很「健康」(healthy),聽上去很有信心。
三星展示的8Mb SRAM晶片
與此同時,三星也公開了7nm工藝的部分信息,不過他們介紹的SRAM晶片容量只有8Mb,更像是研究而非開發性質。
三星同時針對現有設備及EUV工藝開發了兩種修復工藝,顯然EUV工藝的會更好,不過修復處理並不是半導體製造的必須過程,三星只是驗證EUV工藝可以做到什麼。
根據三星去年公布的消息,他們在7nm工藝上是想等到EUV工藝成熟,業界分析認為EUV工藝在2020年才會達到量產水平。
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