三星:明年推5/4nm EUV工藝,2020年上馬3nm GAA工藝

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隨著Globalfoundries以及聯電退出先進半導體工藝研發、投資,全球有能力研發7nm及以下工藝的半導體公司就只剩下英特爾、台積電及三星了,不過英特爾可以排除在代工廠之外,其他無晶圓公司可選的只有三星以及台積電了,其中台積電在7nm節點可以說大獲全勝,流片的7nm晶片有50+多款。

三星近年來也把代工業務當作重點,此前豪言要爭取25%的代工市場,今年三星公布了未來的製程工藝路線圖,現在日本的技術論壇上三星再次刷新了半導體工藝路線圖,今年會推出7nm EUV工藝,明年有5/4nm EUV工藝,2020年則會推出3nm EUV工藝,同時電晶體類型也會從FinFET轉向GAA結構。


三星電子4日在日本舉行「三星晶圓代工論壇2018日本會議」,簡稱SFF Japan 2018,這是三星第二次在日本舉行代工會議,日本PCwatch網站介紹了三星這次會議的主要內容,三星的口號是「最受信任的代工廠」,並公布了三星在晶圓代工上的最新路線圖。


三星高管表示2018年晚些時候會推出7nm FinFET EUV工藝,而8nm LPU工藝也會開始風險試產,2019年則會推出5/4nm FinFET EUV工藝,同時開始18nm FD-SOI工藝的風險試產,後者主要面向RF射頻、eMRAM等晶片產品。

2020年三星則會推出3nm EUV工藝,同時電晶體結構也會大改,從目前的FinFET變成GAA( Gate-All-Around)結構,GAA公認為7nm節點之後取代FinFET電晶體的新一代技術候選。


三星在這次的論壇會議上表示他們是第一家大規模量產EUV工藝的,這點上倒是沒錯,台積電要到第二代7nm工藝N7+上才會使用EUV工藝,但是三星比較激進,7nm節點上會直接上7nm EUV工藝,未來的5/4/3nm節點也會全面使用EUV工藝。

根據三星的說法,他們在韓國華城的S3 Line生產線上部署了ASML的NXE3400 EUV光刻機,這條生產線原本是用於10nm工藝的,現在已經被改造,據說現在的EUV產能已經達到了大規模生產的標準。

此外,三星還在S3生產線之外建設全新的生產線,這是EUV工藝專用的,計劃在2019年底全面完成,EUV的全面量產計劃在2020年完成。


對三星來說,他們的7nm客戶都有誰至關重要,特別是在台積電搶下絕大多數7nm訂單的情況下,原文作者認為台積電的7nm產能不可能包攬所有7nm訂單,三星依然有機會搶得客戶,因此他猜測某公司下一代的GPU有可能交由三星代工——不過他強調這是自己的推測。

在GPU代工上,三星使用14nm工藝給NVIDA的GTX 1050 Ti/1050顯卡的GP107核心代工過。

下面是三星在封裝測試方面的路線圖了,目前三星已經可以提供FOPLP-PoP、I-Cube 2.5D封裝,明年則會推出3D SiP系統級封裝,其中I-Cube封裝已經可以實現4路HBM 2顯存堆棧了。







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