中國突破半導體新工藝 先要從這位美籍華人講起
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【文/ 觀察者網專欄作者 鐵流】
日前,中科院微電子所集成電路先導工藝研發中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。
微電子所殷華湘研究員的課題組利用低溫低阻NiPt矽化物在新型FOI FinFET上實現了全金屬化源漏(MSD),顯著降低源漏寄生電阻,從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍,使得驅動性能達到了國際先進水平。
基於本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收,並在IEDM的關鍵分會場之一——矽基先導CMOS 工藝和製造技術(PMT)上,由微電子所的張青竹做了學術報告,並得到IBM和意法半導體技術專家的讚揚和認可。
在工藝上落後於國際大廠
一直以來,中國境內晶圓代工廠在技術上落後於Intel、台積電、格羅方德、三星等國際大廠,除了受限於瓦森納協定無法從西方採購到最先進的半導體設備之外,在工藝上落後於西方也是很重要的原因。
工藝有多重要呢?就以28nm poly/SiON、28nm HKMG以及28nm SOI來說,雖然同為28nm製程,但由於具體工藝的區別,導致採用不同工藝的晶片在性能上會有差異。
考慮到如果將意法半導體的28nm SOI和中芯國際的28nm HKMG對比可能會有不同晶圓廠帶來的變量,那麼以同採用台積電28nm LP工藝、28nm HPC/HPC+工藝、28nm HPM工藝生產的晶片來比較,採用28nm LP工藝的晶片顯然在性能上遜色一籌,這也是當年採用28nm LP工藝的高通驍龍615在性能和功耗控制上遜色於採用28nm HPM工藝的聯發科6752和採用28nm
HPC工藝的麒麟930的原因之一。
而在工藝上,國內晶圓代工廠也是落後於Intel、台積電、格羅方德、三星等國際大廠的。
舉例來說,某自主CPU公司採用了某境內代工廠的40nm LL工藝,然後由於工藝性能有限,境內代工廠的40nm LL工藝比意法半導體的65nm GP工藝還慢30%……
再比如某合資CPU公司在承接了核高基專項後,由於核高基的要求必須採用境內工藝,然而在採用境內28nm製造工藝流片後,CPU的主頻連1GHz都不到,隨後就去台積電流片了,雖然同樣是28nm製程,但台積電就能把主頻做到1.2GHz以上,挑一挑體質好的,主頻最高可以到2GHz……
另外,除了在工藝上長期落後於國際大廠,國內晶圓廠的工藝大多是技術引進的,而非自主研發,這一方面要付出不菲資金,另外還不得不簽一籮筐的各種限制性條款,這會帶來不少惡果。
要開發出性能優越的的EDA工具,就離不開和先進工藝相結合,國內自主工藝很少有深亞微米的工藝,大多是180nm和130nm。
雖然中芯國際有40nm,而且宣稱有28nm,但可能沒有量產過,或者量產的都是小晶片。
而引進的工藝都簽過協議,這就對國內EDA公司的技術進步和發展造成了障礙。
因此,自主研發的工藝就彌足珍貴了。
在此之前,國內也提出過S-FinFET、後柵納米線及體矽絕緣Fin-on-insulator FinFET等創新技術,但大多遜色於主流FinFET工藝。
而本次微電子所實現的新工藝,則在性能上達到國際先進水平。
FinFET和胡正明
在介紹微電子所開發出的新工藝之前,先介紹下FinFET和FD-SOI工藝。
FinFET中Fin指的是鰭式,FET指的是場效應電晶體,合起來就是鰭式場效應電晶體。
在FinFET問世前,一直在使用MOSFET,但由於當柵長小於20nm的情況下,源極和漏極過於接近且氧化物也愈薄,這很有可能會導致漏電現象。
就在部分業界認為製造工藝會止步不前,摩爾定律即將失效的情況下,一位華人科學家與其同事共同發明的兩項技術使製造工藝得以向20nm以下延續。
胡正明
胡正明教授國籍為美國,1947年7月出生於中國北京,1973年獲美國加州大學伯克利分校博士學位,1997年當選為美國工程科學院院士。
2007年當選中國科學院外籍院士。
在十多年前,在美國國防部高級研究計劃局的資助下,胡正明教授在加州大學研究如何將CMOS技術如何拓展到25nm領域。
胡正明教授及其同事的研究結果是,要麼採用FinFET,要麼走基於SOI的超薄絕緣層上矽體技術。
在1999年和2000年,胡教授及其團隊成員發表了有關FinFET和UTB-SOI(FD-SOI)的論文,由於當時胡正明教授及其團隊認為鮮有廠商可以把SOI基體做到5nm,或者說等人們具備這種技術能力時,FinFET技術可能已經得到了充分的發展,所以包括Intel、台積電等一大批廠商都選擇了FinFET。
憑藉在FinFET等技術創新上的貢獻,在2000年,胡正明教授獲得美國國防部高級研究項目局最傑出技術成就獎。
在2015年,胡正明教授還榮獲美國年度國家技術和創新獎。
根據胡正明教授的介紹,FinFET實現了兩個突破,一是把晶體做薄並解決了漏電問題,二是向上發展,晶片內構從水平變成垂直,也就是把2D的MOSFET變為3D的FinFET。
而這種做法有怎樣的效果呢?台積電就曾表示:16nm FinFET工藝能夠顯著改進晶片性能、功耗,並降低漏電率,柵極密度是台積電28nm
HPM工藝的兩倍,同等功耗下速度可以加快超過40%,同頻率下功耗則可以降低超過60%。
值得一提的是,被三星挖走的前台積電員工梁孟松的博士論文指導教授就是胡正明,想必這也是三星能夠在14nm FinFET上實現大躍進的原因之一吧。
FD-SOI非主流並不意味著落後
相對於在電晶體上做文章的FinFET,SOI工藝則著眼於晶片底襯。
SOI (Silicon-On-Insulator絕緣體上矽)是指絕緣層上的矽,是一種用於集成電路的供應商製造的新型原材料。
SOI技術作為一種全介質隔離技術,可以用來替代矽襯底。
FD-SOI就是在襯底上做文章,在電晶體相同的情況下,採用FD-SOI技術可以實現在相同功耗下性能提高30%左右,或者在相同性能下,功耗降低30%左右。
根據格羅方德公布的數據:
22nm FD-SOI工藝功耗比28nmHKMG降低了70%;
晶片面積比28nmBulk縮小了20%;
光刻層比FinFET工藝減少接近50%;
晶片成本比16/14nm低了20%。
如果格羅方德發布的數據屬實,那麼22nm FD-SOI擁有堪比14/16nm FinFET的性能和功耗,但晶片的成本卻與28nm相當。
而且格羅方德還表示:若是將製程提升到14nm,相對於28nm SOI會有35%的性能提升,功耗也會降到原來的一半。
另外,SOI還具有了較高的跨導、降低的寄生電容、減弱的短溝效應、較為陡直的亞閾斜率,與體矽電路相比,SOI電路的抗輻照強度提高了100倍。
在高溫環境下,SOI器件性能明顯優於體矽器件。
那麼,為何FinFET會成為主流,即便是掌握了22nm FD-SOI工藝的格羅方德還是購買了三星的14nm
FinFET技術授權呢?原因就在於採用SOI工藝成本較高,而且現階段Intel和台積電在矽襯底上能夠做出滿足要求的晶片,所以依舊使用矽襯底,台積電市場份額巨大,而Intel有最好的技術,兩家選擇了FinFET,自然而然整個產業鏈就跟著走,SOI工藝也就只能在射頻和傳感器市場找存在感了。
之前提到,當年胡正明教授及其團隊認為恐怕很難有廠商可以把SOI基體做到5nm,但在不久前,胡正明教授表示:「法國Soitec公司改變了這種情況,他們開始推出300mm UTB-SOI的晶圓樣品,這些晶圓的頂層矽膜原始厚度只有12nm,然後再經處理去掉頂部的7nm厚度矽膜,最後便可得到5nm厚度的矽膜。
這便為UTB-SOI技術的實用化鋪平了道路。
」
胡正明教授認為:FinFET和UTB-SOI技術是可以並存的,不過在未來幾年內,兩者都會想盡辦法彼此超越對方成為主流技術。
現在Intel採用了FinFET技術,原因是這種技術可以讓微處理器的性能相對更強。
他認為台積電公司會在14nm節點開始採用FinFET技術,然後則會為低功耗產品的用戶推出應用了UTB-SOI技術的產品。
而聯電公司則會減輕對FinFET技術的投資力度,並直接轉向UTB-SOI技術。
微電子所新工藝值得期待
不是要介紹微電子所的下一代新型FinFET邏輯器件工藝麼?為何整了這麼多FinFET和SOI的相關內容?這是因為微電子所的新工藝某種程度上可以理解為是對FinFET和SOI優點的集成。
由於技術和商業上的原因,摩爾定律也失去了效力,而且受制於光刻技術、矽材料的極限等因素,晶片製程提升很可能會遭遇瓶頸。
這種情況下,若要再進一步提升晶片性能,將FinFET和SOI相結合的道路不失為解決之道——採用FinFET電晶體+SOI襯底來提升晶片性能,畢竟FinFET(電晶體)+FD-SOI(底襯)顯然是優於FinFET(電晶體)+矽襯底的。
而這也是FOI
FinFET已經成為重要的研究方向的原因之一。
而微電子所的新工藝就類似於FinFET(電晶體)+FD-SOI(底襯)的思路,並加入了自己獨有的創新,能有效彌補FOI FinFET的固有缺陷,並有增強了電子遷移率、成本更低等優勢。
也正是因此,微電子所的新型FinFET器件工藝能夠得到IBM、意法半導體等國際知名主流集成電路公司的熱切關注。
必須指出的是,能否被商業化,技術指標是一方面,產業聯盟也非常重要,如果國內研究所、企業能夠和IBM、意法半導體、格羅方德等公司組成產業聯盟,共同推廣這項工藝,也許能有所斬獲。
(作者微信公眾號:tieliu1988)
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