但就是這樣一位「大牛」級的人物卻被眾多台灣媒體稱為「叛將」，甚至被戲稱為業界「呂布」。

2009年，梁孟松離開台積電，前往韓國與三星集團關係密切的成均館大學任教，台積電認為其涉嫌泄漏營業機密給三星，遂提出訴訟，2015年，台積電獲勝，法院判定禁止梁孟松在三星工作。

這是台灣司法首次判定企業高層在競業禁止結束後仍不能到競爭對手公司工作。

圖 │梁孟松

當時台積電法務長方淑華說，「他（梁孟松）去三星，就算不主動泄漏台積電機密，只要三星選擇技術方向時，他提醒一下，這個方向你們不用走了，他們就可以少花很多物力、時間。

」由此可見梁孟松的特殊性和重要地位。

不過說來也巧，台積電之所以能夠勝訴竟也是偶然之事。

只是因為 2009 年時，胡正明的太太給丈夫籌備生日，當發郵件給學生梁孟松時，竟被人發現郵箱後綴竟是「[email protected]」。

也正是因為這封電郵成為台積電強有力的證據，證明了梁孟松在競業禁止期結束前便在三星工作的事實。

那從此來看，此次梁孟松加盟中芯應該也是早有準備。

而於理分析，梁孟松轉向大陸應該也是在情理之中。

隨著中國內地成為全球最大的晶片採購市場，中國政府也在努力推動國內晶片企業的發展，其中，中芯國際被寄予厚望。

作為中國內地最大的半導體代工廠，中芯國際擁有最先進的半導體製造工藝，在工藝研發方面一直努力追趕台積電。

台積電目前也已經在內地投資設廠，可以說，中芯國際的頭號對手就是台積電。

梁孟松先前在任職三星電子期間，全力投入研發14納米FinFET（鰭式場效電晶體），讓台積電16納米先進位程初嘗敗績，亦使得三星重新分食蘋果A9處理器晶片訂單。

雖然，各方對梁孟松在這次競爭究竟貢獻了多少說法不一，但三星的 FinFET 製程技術確實在短短數年間突飛猛進，甚至超越台積電。

「當初台積電如果不讓他走，今天就不會這麼慘了」，一位與台積電主管熟識的半導體學者曾經這樣感嘆。

圖 │蘋果A9晶片分為三星及台積電版本

半導體戰場上利器——FinFET

那麼，FinFET（鰭式場效電晶體）技術戰場為何頻頻瀰漫硝煙？這還得從電晶體本身說起。

事實上，作為現代所有電器的關鍵驅動元件，大規模量產的電晶體被視為電子工業領域最為偉大的一項發明創造。

它是利用電訊號來控制電流的通斷，且開關速度非常之快。

而現在大部分如智慧型手機之類的電子設備所使用的都是新式電晶體架構——FinFET，諸如蘋果、三星和台積電等廠商都已經將更小尺寸的FinFET 製程納入研發，10納米的技術門檻即將跨越。

但是在過去的數十年，一直被熱捧的電晶體結構反而是大家比較熟悉的金屬－氧化物－半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET），簡稱MOS。

MOS的工作原理很簡單，電子從源極流入，經過閘極下方的電子通道，由汲極流出，中間的閘極則起到開關的作用，決定電子是否可以通過。

當閘極不加電壓，電子不能通過，代表 0；當閘極加正電壓，電子可以通過，代表 1。

這就與計算機上0與1的二進位原理相符，也就意味著每一個MOS都相當於一個比特（bit），晶圓上的幾十億個MOS就相當於幾十億個比特，只要用導線將這幾十億個 MOS連接起來，電子訊號就可以在0與1之間流通運算並得出最終的結果，這也就是計算機的基本工作原理。

但隨著「摩爾定律」的不斷推進，矛盾的問題也隨著出現。

當閘極長度縮小到20納米以下時，源極和汲極之間的距離就會十分靠近，閘極下方的氧化物也會變得非常薄，因為閘極的失效有可能導致產生「漏電」問題，繼續下去，閘極有可能完全喪失掉對通道的控制力。

也正因此，美國加州大學伯克利分校的胡正明、Tsu-Jae King-Liu和Jeffrey Bokor 三位教授發明了「鰭式場效電晶體（Fin Field Effect Transistor，FinFET）」，把2D結構的 MOS 改為3D結構的 FinFET，而其得名也正是因為構造很像魚鰭（Fin）。

這之間最大的變化就是源極和汲極拉高變成立體板狀結構，讓源極和汲極之間的通道變成板狀，閘極與通道之間的接觸面積也因此變大，這樣做的好處就是即使閘極長度縮小到20納米以下，仍然留有很大的接觸面積，保證閘極對電流的有效控制，降低漏電和動態功率耗損（即FinFET由0變1或由1變0時所消耗的電能），使整體設備更加省電。

所以，從此也可以看出， FinFET 是微電子產品尺寸進一步縮小的關鍵技術，掌握了這項「利器」就擁有了在半導體戰場上的競爭力。

而值得一提的是，胡正明教授正是梁孟松的博士論文指導教授，也就是說，梁孟松是掌握該項技術的核心人物之一。

梁孟松轉戰中芯，或許同樣會幫助中國內地晶圓代工先進位程技術實現突飛猛進。

中芯國際PK台積電

顯然，中芯國際和台積電之間的戰役已拉開大幕。

台積電目前在內地已有位於上海松江廠的 8 寸半導體工廠，2016 年開始在南京建設12寸半導體工廠，預計在 2018 年量產採用 16 納米 FinFET 工藝。

這對中芯國際是最大的威脅，因為中芯國際同樣在研發 14 納米 FinFET 工藝，並希望能在 2018 年投產以與台積電一決高下。

為了取得競爭優勢，中芯國際在更早之前就引入了台積電前執行長蔣尚義，蔣尚義曾負責領導台積電的28納米、20納米和16納米FinFET等關鍵節點的研發。

如果成真，中芯國際此次迎來梁孟松加盟無疑是如虎添翼。

早在2014年，中國內地就成立了集成電路產業基金，用以扶持中國晶片產業發展。

在2015年全球晶片銷售額呈下滑趨勢的時候，中國市場成功繼續保持上升勢頭。

目前，中國內地的晶片設計領域湧現了華為海思、清華紫光、中興微電子、瑞芯微電子、君正等企業。

因此，有台灣專家認為，台灣半導體超級戰將紛紛進軍內地，似乎是為內地半導體未來的黃金10年做背書，而內地積極挖角台灣人才，其中暴露的企業人才管理問題也有必要引起台灣方面的重視。

2010年，馬雲曾在「中國綠色公司年會」的演講中直言：「台灣沒希望了，假如7、80歲的人還在創新，問題就大了」。

台灣智知識產權局專利助理審查官、台灣大學機械工程博士黃孝怡就曾撰文指出，這一說法並非沒有道理，「是不是這些公司出了什麼問題？是否因為這樣讓很多人才上不去？而沒上去的人才只好跳槽，而且一跳就讓公司跳腳。

」

無論台灣如何擔憂，大陸半導體產業的迅速崛起無疑已經成為大勢所趨。

今天是《半導體行業觀察》為您分享的第1260期內容，歡迎關注。

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