英特爾10nm的晶片工藝，比台積電7nm還要強？你怎麼看？
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眾所周知，在晶片界一向有一個定律，那就是工藝越先進，性能越強，所以有能力的廠商不斷的在探求晶片製造工藝的極限。
比如台積電，就一直不斷的從14nm到10nm到7nm到5nn，甚至還研究3nm，2nm什麼的，達到極限為止。
也正因為這樣，所以台積電被人認為是現在晶片製造領域最強者，其工藝水平誰都追不上，連世界第一的英特爾都不是對手，因為英特爾目前還在14nm，10nm的晶片在今年才能量產。
但近日，GeekBench 4跑分露出了英特爾10代酷睿的成績，同時網上也出現了有關於英特爾10nm製程工藝的基本指標，大家發現這個指標比台積電的7nm工藝還要強不少。
英特爾的10nm製程在電晶體密度上做到了100.76Mtr/mm2、柵極間距54×44nm，SRAM面積為0.0312μm2。
尤其在電晶體密度上，10nm工藝就能實現每平方毫米1億個電晶體，比台積電強不少。
而我們知道晶片的性能和電晶體的多少有很大的關係，像麒麟980有69億電晶體，麒麟970有55億電晶體。
而一般工藝製程越先進，也就代表著電晶體密度越高，同等單位面積下，放的電晶體也越多，只是沒想到英特爾的10nm工藝比台積電的7nm工藝還強就真有點玄乎了，有點突破常理了。
其實說起來，在早幾年前，英特爾的工藝是領先於台積電的，比如FinFET工藝都是他們最先量產的，領先對手兩三年時間。
只是在14nm上英特爾耽擱的太久，從2015到現在已經4年多了，這次才再升級10nm工藝，最終是不是真的比台積電的7nm強，還得等英特爾的晶片發布後，才能見真曉了，你覺得呢？
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