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英特爾為何遲遲不肯發布10nm？

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相信很多人都已經聽說了AMD即將推出7nm製程cpu，而作為AMD老對手的intel卻依舊停留在14nm++++++，那麼是什麼原因導致他遲遲不推出10nm製程呢？

首先大家應該都知道晶片這個東西是需要技術的，在技術的世界裡，彎道超車本身就不多見，而且就算彎道超了對手也可能在直道上追回來。

2014年，英特爾就發布了14nm工藝的晶片，彼時的台積電剛剛小規模量產了20nm工藝。

那麼，是什麼力量讓台積電追上並超過英特爾的呢？

答案就是數字遊戲。

根據公開的資料，Intel 14nm工藝的柵極間距為70nm，內部互聯最小間距為52nm，這兩項指標分別比22nm縮小了22％、35％。

相比之下，台積電16nm、三星/GF 14nm的柵極間距分別是90nm、78nm，內部互聯則是64nm。

我想大家都能看出來問題了，台積電的16nm工藝在技術指標上也就比英特爾的22nm好了一點，三星也沒好到哪去。

也就是說，英特爾在2016年的時候依然處於領先地位。

然而，英特爾在2014-2016年間的發展並不好，他們的移動晶片慘遭失敗，代價是付出了70億美元的補貼。

與此同時PC銷量下滑，英特爾被迫關閉了一些晶片工廠，包括曾經被歐巴馬看作是美國製造業典型的Fab42工廠。

這直接導致英特爾的生產和實驗出現混亂，一旦市場回暖，幾乎所有工廠都要滿負荷運轉。

與此同時，英特爾內部也是亂成了一鍋粥。

科再奇上任後，英特爾一直在併購。

併購後的整合需要大量人員和精力，這並不是英特爾擅長的，雄心勃勃的10nm工藝量產計劃也因為公司沒有與相關團隊明確界定目標，導致該計劃最終變得過於複雜，且沒有以理想的方式加以管理。

當然，10nm本身也有設計難度，英特爾的要求太高了，這幾乎是他們現有光刻機，也就是DUV的極限。

多說一句，現在的EUV光刻機光源功率過低，達不到英特爾的要求。

對市場預估錯誤，轉型期陣痛和過於自信的標準讓英特爾的10nm工藝頻繁跳票。

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