Intel公布10nm製程參數:電晶體密度為友商2倍

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IT之家9月19日消息 Intel在今天在北京舉辦的尖端製造大會上正式公布了10nm製程以及全球首次展示了10nm的晶圓。

而在接下來的技術大會上,Intel介紹了自家的10nm工藝製程,同時和友商也就是台積電以及三星的10nm工藝製程進行對比。

Intel高級院士,製程架構總監Mark T.Bohr放出了Intel的10nm工藝製程與友商三星以及台積電的對比。

可以看到Intel的10nm工藝製程在鰭片間距以及柵極間距均低於三星和天幾點,而最小金屬間距更是大幅領先於友商,從而在最終的邏輯電晶體密度參數上面,Intel的10nm工藝製程能夠達到每平方毫米1億電晶體,而台積電為4800萬,三星為51560萬,也就是說Intel的10nm工藝製程電晶體密度是台積電的2倍還多。

Intel同時稱未來還會有10nm+以及10nm++工藝。


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