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三星突破第二代10nm製程，改進版驍龍835量產在望

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驅動中國2017年4月20日消息 去年10月份，三星宣布正式量產10nm製程的晶片。

在Intel還停留在14nm製程的時候，在台積電還在為7nm製程為難的時候，三星是目前第一個能夠量產10nm製程晶片的廠商。

按照三星的解釋，相比14nm製程，10nm製程製造的晶片性能提升27%，同時功耗降低達40%，並且10nm製程允許每個晶圓多製造30%的晶片。

但是Intel對此表示很不屑，他們表示自身的10nm製程標準是「1平方毫米中塞下1億個電晶體、鰭片間距做到34nm，最小金屬間距則做到36nm」。

而三星生產的驍龍835晶片，面積約為153平方毫米，集成了30億個電晶體。

由此可見，三星的10nm製程標準確實比不上Intel的標準。

不過好在第二代10nm LPP工藝的量產難題已經被攻克，三星已經開始在韓國漢城的S3生產線上部署相關設備。

這意味著最早下半年我們就能夠見到量產的改進版驍龍835。

改進版835很可能會被命名為驍龍836，類似於去年的驍龍821。

雖然與驍龍835處理器同屬於10nm製程，但是LPP比起LPE的性能可是要高上不少。

例如驍龍821比起驍龍820：驍龍820的CPU大核主頻2.2GHz、小核主頻1.6GHz，GPU主頻624MHz；驍龍821的CPU大核主頻2.4GHz、小核主頻2GHz，GPU主頻650MHz。

也就是說，驍龍821的CPU性能提升10%，而GPU的提升為5%。

LPP和LPE並不是矛盾對立的，而是同時存在的兩個產品。

LPE全稱low-power early，講究的是低功耗，而LPP全稱Low Power Plus，追求的是性能。

至於為什麼三星不一次做到位，其一自然是為了搶一個首發的名聲，效果目前顯而易見；其二則是因為隨著性能的提升發熱量也急劇上升。

驍龍810的慘劇依然歷歷在目，三星斷然不會再那麼激進。

除了已經可以量產的10nm LPP工藝，三星還在研究第三代10nmLPU工藝。

相比起年底就能上市的改進版驍龍835，第三代LPU版驍龍835預計要到明年才能進入量產階段。

不論如何，現階段的驍龍835旗艦機還沒拿到手，處理器就已經變成了閹割版，實在是讓人心痛啊！

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