10nm突襲！英特爾宣布可在1平方毫米中塞下1億個電晶體
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英特爾邏輯技術部門副主席Kaizad Mistry在本周二宣布：英特爾已經有能力在1平方毫米中塞下1億個電晶體，並稱之為行業歷史上史無前例的里程碑式進步。
「1 平方毫米中塞下 1 億個電晶體」什麼概念？這就是期待已久的10nm製程。
據數據顯示，英特爾的10nm節點將鰭片間距做到了34nm，而最小金屬間距則做到了36nm（這兩個數據在14nm節點時分別為42nm和52nm）。
在 10nm 晶片上，英特爾又用上了自對準四重曝光工藝（SAQP），未來該技術將繼續用在晶片巨頭的 7nm 晶片中。
在介紹新的技術突破時，工程師總喜歡輕描淡寫期間遇到的困難。
「摩爾定律有趣的地方就在於它的實現看起來命中注定，但其中的艱難很難用言語來描述，想不斷突破必須有創新。
」Mistry 說道。
Intel曾表態稱基於全新10nm工藝的Cannon Lake處理器將於今年末出貨，這可能是對AMD銳龍的突襲的一次漂亮反擊。
這下牙膏廠似乎搬出了一大管牙膏呢！
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