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英特爾承諾10納米領先一切對手 性能升25%功耗降45%

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PC和硬體作者：小言來源：威鋒網

英特爾此前已經談論過多次 10 納米的 Cannon Lake 晶片了，每一次對於發布時間都有一種新的說法。

今年年初的時候曾表示，公司對 10 納米很有信心，不出意外 Cannon Lake 會出現在今年的 2 合 1 設備上。

最近英特爾又發話了，聲稱 Cannon Lake 將是公司的黃金產品，工藝製程上遠勝於激進的三星和台積電。

按照英特爾的說法，Cannon Lake 是超濃縮的產品，電晶體數量可以是上一代的兩倍，而在這一優勢下，將有助於 CPU 性能提升 25% 左右，並且功耗降低至少 45%。

英特爾稱，年底上市的 10 納米晶片在 1 平方毫米內可以塞進 1 億個電晶體，鰭片間距做到34nm，最小金屬間距則做到 36nm。

很顯然，英特爾將摩爾定律的希望寄託到了 Cannon Lake 身上，畢竟按照該定律，集成電路的電晶體數量大約每兩年增加一倍。

雖然摩爾定律在大多數分析看來已經死亡，而且英特爾也將晶片真正更新換代的周期調整到了 36 個月，但現在英特爾依然對該定律的前景看好。

「英特爾將延續摩爾定律。

」 這是英特爾在近日 Technology and Manufacturing Day 活動上通過 PPT 所表達的態度，不過沒有強調定律的內容，而是更多的談及了經濟學，聲稱保持在合理價格範圍內，自己可以提供越來越強大的晶片。

英特爾還確認，接下來 10 納米晶片也會分為三步走，分別是 10 納米、10 納米+ 和 10 納米++，走完這三步才會進入到 7 納米工藝製程。

其中 10 納米 + 工藝相比 10 納米 CPU 性能再次提升 15%，且功耗再降低 30% 左右。

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