台積電7nm工藝量產:功耗降低65%,未來5nm再降20%功耗

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英特爾在14nm、10nm工藝上的難產給了其他半導體公司趕超的機會,由於2019年之前都無法推出10nm晶片,而三星、台積電的7nm工藝今年就會量產了,這一輪競爭中英特爾真的輸了,哪怕官方多次宣布自家的10nm工藝在性能、電晶體密度上比其他家的7nm節點還好也沒用了。

在7nm節點,台積電已經是雄心勃勃,除了AMD官方提到的7nm Vega晶片之外,台積電還手握50多個7nm晶片流片,新工藝性能可提升35%或者功耗降低65%,未來升級到5nm之後性能還能再提升15%,功耗降低20%。

EEtimes今天報導了台積電的工藝路線圖,官方公布了7nm及未來的5nm工藝細節,首先是第一代7nm工藝,今年將會量產,後面還有50多個晶片陸續流片,涉及到CPU、GPU、AI晶片、加密貨幣晶片、網絡、遊戲、5G、自動駕駛晶片等等行業。

7nm工藝的性能將提升35%,或者功耗降低65%,晶片密度達到3倍水平——原文這裡沒提到是跟誰對比,不過不可能是10nm,台積電官網上跟10nm工藝對比的結果是性能提升20%或者功耗降低40%,晶片密度1.6倍,因此這裡對比的很可能是台積電的16nm工藝。

第一代7nm工藝沒有使用EUV光刻工藝,N7+節點才會用上EUV光刻機,不過這個是製造過程的改變,N7+工藝的性能沒什麼變化,電晶體密度提升大概20%,功耗降低10%。

此外,N7+工藝雖然目前的良率不錯,但是還有一些關鍵單元要到今年底或者明年初才能搞定,完整用於N7+工藝的EDA工具大概要等到8月份。

7nm之後台積電今年還要風險試產5nm工藝,與最初7nm工藝相比,台積電的5nm工藝大概能再降低20%的能耗,電晶體密度再高1.8倍,至於性能,預計能提升15%,不過使用新設備的話可能會提升25%。

按照之前的規劃,台積電的5nm工藝預計會在2020年量產,那時候英特爾順利的話可能會進入7nm節點了。


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