華虹半導體推出0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平台增強版
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華虹半導體有限公司(「華虹半導體」或「公司」,連同其附屬公司,統稱「集團」)今日推出最新低本高效0.18微米數模混合及嵌入式OTP/MTP工藝平台增強版(0.18CE 工藝平台增強版)。
該增強型工藝平台的推出,進一步奠定了華虹半導體在蓬勃發展的微控制器(Microcontroller Unit,
MCU)市場中的領先地位,並把現有0.18CE工藝平台擴展至數模混合電路及電源管理晶片領域,為拓展新的應用市場打下了堅實基礎。
華虹半導體0.18CE工藝平台增強版是在0.18微米低本高效OTP(One-Time Programming)工藝平台的基礎上研發升級而來。
其最大優勢是通過利用第三方授權的OTP Cell,並依託自身經驗豐富的嵌入式存儲器IP設計、製造工藝和IP測試三方面的整合能力,可為客戶提供優化的OTP
IP,並實現更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。
通過這些改進,該工藝平台在成本、性能和功耗等諸多方面具有行業領先的競爭優勢。
目前,已有多個國內外客戶的產品進入量產。
瞄準物聯網和智慧能源應用市場對低功耗MCU的龐大需求,華虹半導體又與合作夥伴聯合推出了更豐富的嵌入式存儲器方案。
其中,OTP + LogicEE(Logic Technology Compatible
EEPROM)的解決方案,以內嵌IP取代8位MCU外部成本較高的標準電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM),可大幅度降低生產成本。
該解決方案不僅能夠大大提升讀寫速度,還可減少耗電量,有效延長待機時間,更能克服外掛式晶片數據容易遭到竊取的缺點,強化數據保密功能。
另外,在MTP(Multiple-Time Programming)解決方案中,客戶通過MTPIP可以方便地在系統上反覆修改設計程序,從而提升客戶產品的功能及有效改善生產存貨管理。
作為OTP MCU的升級版,MTP可提供的容量由1Kx8位到 8Kx16位,其IP面積極具競爭力,可應對客戶多元化和高性價比的需求。
同時,通過推出低閾值電壓(Low Vt)、NPN雙極結型電晶體(BJT)、 耗盡型(Depletion)、齊納二極體(ZenerDiode)、18V LDMOS器件,華虹半導體將擴大其在數模混合電路和電源管理IC領域的產品陣容,為諸如電量計、溫度傳感器、智能電錶、移動電源和微機電系統(MEMS)專用集成電路(ASIC),提供高性能低成本的解決方案。
華虹半導體執行副總裁范恆先生表示:「0.18CE工藝平台增強版是華虹半導體與合作夥伴共同耕耘的成果。
該增強型工藝平台可為客戶提供一系列創新、高性能和有競爭力的嵌入式存儲器IP等完整解決方案。
其產品應用廣泛,可適用於可穿戴式設備、移動通訊、物聯網和智慧能源。
華虹半導體將繼續加大研發投入,與國內外合作夥伴攜手,開創進軍物聯網市場的新局面。
」
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