ICCAD盛大開幕華虹宏力「芯」動亮相

2020-10-24

文章推薦指數： 80 %

投票人數：10人

2017年11月16-17日，「中國集成電路設計業2017年會暨北京集成電路產業創新發展高峰論壇」(「2017年ICCAD年會」)在北京稻香湖景酒店舉辦。

全球領先的200mm純晶圓代工廠──華虹半導體有限公司(股份代號：1347.HK)之全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司(「華虹宏力」)精彩亮相。

在這場多方矚目的行業盛會上，華虹宏力積極響應「創新驅動，引領發展」的大會主題，向客戶及合作夥伴展示了其差異化特色工藝及最新技術解決方案。

11月的北京，氣溫已然低迷。

原本清冽的稻香湖畔，卻因「2017年ICCAD年會」的召開而頗顯熾熱。

本屆大會深入探討了集成電路產業面臨的機遇和挑戰。

當下，我國集成電路產業正蓬勃發展，華虹宏力作為半導體製造企業的代表，將持續發展特色工藝，助力中國「芯」騰飛。

華虹宏力以特色引領創新，在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、模擬及混合信號、電源管理IC、射頻和微機電系統(MEMS)等晶圓代工領域享有領先地位。

全系列的嵌入式存儲器工藝平台組合中，專為物聯網打造的0.11微米超低漏電(ULL)嵌入式快閃記憶體平台，N/P管靜態漏電<1pA/μm，並支持RF-CMOS設計;95納米單絕緣柵非易失性嵌入式存儲器，包括eFlash、eEEPROM、OTP工藝平台，助力客戶在MCU應用市場提高競爭力，95納米的低本高效MTP(Multiple-Time Programming)工藝平台也在加速研發中;90納米eFlash/eEEPROM工藝平台則將加固公司在智慧卡領域的優勢。

聚焦功率器件市場，華虹宏力的深溝槽超級結(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場截止型IGBT(Field Stop，FS IGBT)工藝平台在業界廣受認可，其中，第三代DT-SJ實現了超低導通電阻，超高開關速度的特性;1700V IGBT技術已開發完成，適用於高端工業及新能源汽車的IGBT技術也指日可待。

華虹宏力還可提供全套的電源管理晶片代工方案，擁有全系列的BCD/CDMOS和CMOS模擬工藝平台，涵蓋1微米到0.13微米，1.8V到700V。

正處於戰略準備階段的第二代BCD700V工藝平台，將在原先基礎上減少2層光罩，並優化DMOS性能。

針對射頻技術，華虹宏力提供矽襯底全系列工藝解決方案，包括RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等。

0.2微米射頻SOI工藝設計套件(PDK)頗受好評，能有效幫助客戶提高設計效率。

研發團隊還在持續研發0.13微米射頻SOI等射頻相關技術，以響應智慧型手機出貨量的增長及未來5G移動通信的發展。

大會期間，華虹宏力戰略、市場與發展部門部長鬍湘俊以「智能時代，暢想芯機遇」為題發表演講：5G、人工智慧等新興領域已開始發酵，面對「芯」時代，華虹宏力如何走好特色創新之路?演講現場，高潮迭起，精彩不斷。

華虹宏力執行副總裁孔蔚然博士在展會現場接受了《半導體製造》專訪。

此次，華虹宏力展台還特別設置了互動遊戲，吸引了大量圍觀。

除了有趣的大轉盤遊戲讓參與者叫好外，「拍照集贊」的創意遊戲也刷爆朋友圈，收穫滿滿人氣。

請為這篇文章評分？

2020-10-24

華虹半導體MCU市場再發力積極拓展國際版圖

200mm純晶圓代工廠——華虹半導體有限公司今天宣布，公司2016年上半年微控制器（MCU）晶片出貨量達12億顆，較去年同期增長50%，創歷史新高。憑藉其全面的嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技...

ICCAD盛大開幕 華虹宏力「芯」動亮相

文章推薦指數： 80 %

請為這篇文章評分？

相關文章

最新文章

相關網站資訊

華為被禁原因

無邊無際意思

華為 工廠

ICCAD盛大開幕華虹宏力「芯」動亮相

相關文章　

華為工廠