華虹宏力2015年度技術論壇：四大技術亮點引關注

集微網消息，11月27日華虹半導體有限公司旗下全資子公司上海華虹宏力半導體製造有限公司在北京召開了2015年度技術論壇。

本次論壇吸引了包括來自北京、長三角、西部地區的150多位IC設計精英、知名合作夥伴、行業分析師和媒體的參加。

主要交流內容包括華虹宏力的公司現狀、市場規劃、產品信息，以及公司技術優勢等。

華虹宏力執行副總裁范恆先生和執行副總裁孔蔚然博士等公司高層親臨論壇現場，與參會嘉賓互動交流。

同時公司派出了陣容強大的技術專家團隊，重點介紹了華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器、功率器件、射頻/SOI、電源管理IC等特色工藝技術的最新成果和全方位的設計支持及其他增值服務。

公司執行副總裁范恆先生表示，半導體行業發展迅速，市場風雲激盪，而我們保持不變的是「以客戶為中心，為客戶創造價值，與客戶共同成長」的經營理念。

這也正是華虹宏力持續努力的方向，不斷創新，深度融入中國半導體產業鏈，用先進的差異化製造技術和高品質服務，成為設計企業可信賴的晶片製造夥伴。

上圖為公司執行副總裁范恆先生致歡迎辭並發表精彩演講

公司執行副總裁孔蔚然博士表示，我們成功推出了0.11微米ULL嵌入式快閃記憶體。

該平台支持RF-CMOS設計，是物聯網（IoT）應用的最佳選擇。

同時針對下一代智慧卡、金融卡應用，我們已成功實現90納米eFlash/ eEEPROM工藝的流片。

此外，為進一步增加競爭力，我們將推出新一代超級結MOSFET（SJNFET）。

華虹宏力將通過加大新技術研發力度，鞏固和提升公司在特色工藝代工領域的領先地位。

上圖為公司執行副總裁孔蔚然博士作精彩演講

除了范恆先生和孔蔚然博士演講外，華虹宏力各個業務部負責人也分別上台向嘉賓講解了華虹宏力的技術優勢。

概括本次論壇主要有四大亮點：

亮點一：IoT時代，嵌入式存儲器工藝大放異彩

作為嵌入式非易失性存儲器領域的領導企業，華虹宏力已在智慧卡和物聯網方面耕耘多年。

公司有嵌入式SONOS Flash和SuperFlash技術，以及eFlash+高壓和eFlash+射頻（RF）兩個衍生工藝平台。

技術節點覆蓋0.18微米到90納米，可將自身一流的嵌入式存儲器技術與低成本CMOS射頻技術結合於一體。

同時還可為客戶提供高性能、低操作電壓、低動態功耗的標準邏輯單元庫，並可根據不同需求為客戶定製高速度、低功耗、超低靜態功耗的嵌入式快閃記憶體、嵌入式電可擦可編程只讀存儲器（EEPROM）IP，可幫助客戶減小低功耗設計難度，搶占市場先機。

另外，適合8位MCU的0.18微米3.3伏與5伏的低本高效OTP（One-Time Programming）/ MTP（Multiple-Time Programming）工藝平台，採用業界最具競爭力的光罩層數，是目前市場上極具價格優勢的MCU解決方案。

華虹宏力依託自身經驗豐富的IP設計、工藝和測試三方面的整合能力，可為客戶提供優化的OTP 解決方案，實現了更小的OTP面積、更高的速度、更低的功耗。

華虹宏力還與IP合作夥伴聯合推出了OTP + LogicEE（Logic Technology Compatible EEPROM）的解決方案，以內嵌EEPROM取代8位MCU中成本較高的外掛式EEPROM，可大幅度降低生產成本。

在MTP（Multiple-Time Programming）解決方案中，客戶通過MTP IP可以方便地在系統上反覆修改設計程序，從而提升客戶產品的功能及有效改善生產存貨管理。

在存儲容量1Kx8位到 8Kx16位範圍內，其IP面積極具成本優勢，可應對客戶多元化和高性價比的需求。

亮點二：節能減排，功率器件技術功不可沒

隨著綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。

作為開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車和智能電網等電源系統的核心器件，功率半導體是降低功耗、提高效率的關鍵。

華虹宏力可為客戶提供獨特的、富有競爭力的超級結MOSFET（Super Junction, SJNFET）和場截止型（Field Stop, FS）IGBT工藝。

其中先進的第二代SJNFET技術和新一代的600V~1200V FS IGBT已實現量產，器件性能達到業界一流水平。

具有更低導通電阻和更小晶片面積的第二代優化版SJNFET工藝平台研發成功，現已面向客戶開放。

華虹宏力並不止步於此，而是在已有成績的基礎上「趁熱打鐵」，正計劃於明年推出具備更先進性能的第三代SJNFET工藝平台，進一步鞏固公司在功率分立器件領域的領先地位，為日益增長的移動終端、LED照明和新能源汽車等熱點應用，提供更低功耗、更高效、更小尺寸的綠色芯製造平台。

亮點三：RF-SOI射頻技術初見成效

近年來，隨著移動網際網路和無線通訊技術的蓬勃發展，射頻晶片在智能終端和消費類電子產品中的應用越來越多。

其中，射頻SOI技術是我們關注的重點之一。

我們在今年推出了新一代0.2微米射頻SOI工藝平台，並已成功實現量產。

射頻SOI工藝非常適合用於智慧型手機以及智能家居、可穿戴設備等智能硬體所需的射頻前端設計。

我們將積極推進射頻SOI技術在國內市場的業務發展，幫助客戶搶占先機。

此外，華虹宏力還可提供一系列高性能且具備成本效益的射頻解決方案，包括射頻CMOS，高阻矽IPD（集成無源器件）以及配備射頻PDK的嵌入式快閃記憶體工藝平台。

亮點四：綠色生活，電源管理IC技術活力無限

隨著客戶對綠色、節能和效率需求的日益增加，出色的電源管理IC（PMIC）技術顯得尤為重要。

華虹宏力作為完整的功率IC代工方案提供商，可提供久經驗證的CMOS模擬和更高集成度的BCD/CDMOS工藝平台。

其技術涵蓋1微米到0.13微米，電壓範圍覆蓋1.8伏到700伏，性能卓越、質量可靠，可廣泛應用於智能電錶、PMIC、手機/平板電腦PMU以及快速充電（Fast Charge）等產品領域。

華虹宏力超高壓700V BCD技術迎合了節能環保熱點，此工藝平台所支持的高壓小電流LED照明驅動應用市場發展前景十分廣闊。

我們將繼續增強用於LED照明的先進差異化工藝技術組合，即將推出的更具競爭力的0.18微米BCD 40V，可滿足客戶多種需求和選擇。

在業內有著廣泛知名度的CZ6模擬系列更是以穩定可靠的質量而著稱。

展望未來，我們將拓展先進的電源管理平台，為客戶提供一整套具成本效益的解決方案。

這四大亮點也基本概括了華虹宏力在不同領域的技術優勢。

除技術外，范恆先生還透露了華虹宏力今年的業績，前三季度營收超過 50億美金，其中中國區銷售占比超過了50%。

華虹宏力介紹：

上海華虹宏力半導體製造有限公司，由原上海華虹NEC電子有限公司和上海宏力半導體製造有限公司新設合併而成，是世界領先的200mm純晶圓代工廠。

華虹宏力在上海張江和金橋共有3條200mm集成電路生產線，月產能達13.7萬片，工藝技術覆蓋1微米至90納米各節點，在標準邏輯、嵌入式非易失性存儲器、混合信號、射頻、電源管理、功率器件工藝等領域形成了具有競爭力的先進工藝平台，並正在建立微機電系統（MEMS）工藝平台。

公司總部位於中國上海，在台灣、日本、北美和歐洲等地均提供銷售與技術支持。

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