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MCU市場彰顯實力 華虹宏力再獲認可

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7月28日，上海華虹宏力半導體製造有限公司（「華虹宏力」）憑藉「0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式快閃記憶體技術平台（0.11um Ultra Low Leakage Dual Gate Platform）」榮獲「2017優秀MCU製造工藝平台」獎。

據悉，MCU市場迅速發展，其應用領域愈發廣泛：物聯網、可穿戴設備、智能電網、醫療電子設備、智能照明、工業及汽車電子設備等，MCU的功能正不斷豐富和提高著。

而華虹宏力擁有全球領先的嵌入式非易失性存儲器技術，具體包括嵌入式Flash/EEPROM/OTP/MTP等，產品應用覆蓋高、中、低端MCU晶片，為MCU設計公司提供了多種方案和選擇。

此次獲獎的0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式快閃記憶體技術平台最大特點是可在同一工藝中集成數模混合技術、嵌入式存儲技術及低成本的CMOS射頻技術，24層光罩即可生成高性能、低功耗的0.11微米SoC（System-on-a-Chip）晶片，具備更小的面積、更低的功耗和更強的可靠性等顯著優勢，還能降低設計、製造和測試成本。

專為物聯網打造的0.11微米超低功耗（ULL）嵌入式eFlash及eEEPROM工藝平台擁有豐富多樣的嵌入式存儲器IP，同時也提供高密度存儲器編輯器（Memory Complier）和標準單元庫，可為客戶度身定製性價比優越、全面靈活的解決方案，加速客戶產品上市時間。

華虹宏力執行副總裁孔蔚然表示：「經過多年的不懈努力，MCU已成為我們最大的業務分支。

多家客戶已在0.11微米超低功耗雙柵型嵌入式快閃記憶體技術平台上成功量產，公司基於該平台的銷售收入在2016年已有超過40%的增長，未來更可期強勁成長。

華虹宏力將持續創新，計劃將未來MCU產品逐步導入更具有競爭力的90納米和95納米嵌入式非易失性存儲器工藝平台，並不斷擴展MCU代工組合，為客戶提供最佳的MCU解決方案。

」

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