華虹半導體第三代Super Junction技術研發取得階段性成果

200mm純晶圓代工廠華虹半導體有限公司（「華虹半導體」或「公司」，連同其附屬公司，統稱「集團」）今天宣布，公司已完成第三代Super Junction（超級結結構）MOSFET（SJNFET）工藝平台的第一階段研發，取得了初步成果，並計劃在2017年上半年逐步推向市場。

華虹半導體在功率器件產品穩定量產上擁有逾10年的經驗。

公司於2010年突破了深溝槽刻蝕填充工藝的世界級難題，推出了溝槽型SJNFET工藝平台，令華虹半導體成為業界首家提供超級結工藝平台的晶圓代工公司。

經過多年發展，華虹半導體在Super Junction技術領域積累了豐富的研發和生產經驗，相繼推出了第一代、第二代工藝平台，並緊跟業界超級結產品的發展，持續進行平台的創新升級。

華虹半導體最新研發的第三代SJNFET技術平台不僅保持了前幾代工藝流程緊湊的特點，而且還開發出了溝槽柵的新型結構，相比前兩代的平面柵結構，可以更有效地降低結電阻，且進一步縮小了元胞（cell pitch）面積。

導通電阻與第二代工藝相比，更是下降了30%以上，以600V器件為例，單位面積導通電阻Rsp實測值為1.2ohm.mm2。

第三代SJNFET工藝平台將為客戶提供導通電阻更低、晶片面積更小、開關速度更快和開關損耗更低的產品解決方案。

功率半導體是開關電源、馬達驅動、LED驅動、新能源汽車和智能電網等電源系統的核心器件，也是降低功耗、提高效率的關鍵。

在人們對高效節能越來越重視的現今，綠色能源技術必將得到更廣泛的應用，功率半導體的需求也將持續提升。

Super Junction技術憑藉更低的功耗，高度契合當前熱門的大功率快充電源、LED照明電源需求，其在傳統的PC電源及雲伺服器電源也有優異的表現。

華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示：「通過與客戶在設計優化、系統解決方案及市場滲透方面的攜手努力，我們獨特且具競爭力的超級結MOSFET平台自量產以來出貨量與日俱增，累計超過200,000片晶圓。

華虹半導體新一代SJNFET工藝平台的推出，將進一步鞏固公司在功率分立器件領域的領先地位。

我們將儘快實現第三代SJNFET工藝平台的商用，以滿足客戶對更具競爭力的高壓功率晶片產品解決方案的需求。

」

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