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GF 2019年量產12nm工藝：性能堪比10nm

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與三星聯手搞定14nm FinFET並獲得AMD CPU/GPU全面採納，又與AMD簽訂五年晶圓供應合約共同開發7nm工藝，習慣性炸雷的GlobalFoundries最近有點春風得意的感覺，接下來又要進軍12nm工藝了，但走的是道路有些特殊：FD-SOI(全耗盡型絕緣層上矽)。

大家都知道，目前半導體工藝已經全面從2D電晶體轉向3D電晶體，Intel、台積電、三星以及GF自己都在做。

另一方面，AMD雖然工藝上一直落後，但有個獨門秘籍那就是SOI(絕緣層上矽)，當年與藍色巨人IBM合作搞的，可以將工藝提高半代水平，其優秀表現也是有目共睹的。

不過，AMD進入32nm之後就拋棄了SOI，不過獨立後的GF一直保留著SOI技術，還收購了IBM的相關技術，後者最新的Power8就是採用22nm SOI工藝製造的。

GF此前已經全球第一家實現22nm FD-SOI(22FDX)，號稱性能功耗指標堪比22nm FinFET，但是製造成本與28nmm相當，適用於物聯網、移動晶片、RF射頻、網絡晶片等，已經拿下50多家客戶，2017年第一季度量產。

現在，GF又宣布了全新的12nm FD-SOI(12FDX)工藝，計劃2019年投入量產。

GF表示，12FDX工藝的性能等同於10nm FinFET，但是功耗和成本低於16nm FinFET，相比現有FinFET工藝性能提升15％，功耗降低50％，掩膜成本比10nm FinFET減少40％！

它還將提供業界最寬泛的動態電壓，通過軟體控制電晶體大大提升設計彈性，在高負載時可提供最高性能，靜態時則具備更高能效。

該工藝也是針對低功耗平台的，包括移動計算、5G互連、人工智慧、自動駕駛等等，中國中科院上海微電子研究所、NXP半導體、VeriSilicon半導體、CEATech、Soitec等都參與了合作。

GF正在德國德勒斯登Fab 1晶圓廠推進12FDX工藝的研發，預計2019年上半年完成首批流片，並在當年投入量產。

簡單來說，GF現在是兩條腿走路：低功耗方面主打22/12DFX，尤其後者可以替代10nm FinFET；高性能方面直接進軍7nm FinFET。

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