幾大晶圓廠7納米工藝盤點，英特爾將不再領先

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這個消息是在晶片製造商之間激烈但縮小的競爭的時候。

最新趨勢的動態表明，TSMC和GF /三星將領先英特爾，世界上最大的晶片製造商和長期的工藝技術的領導者。

台積電將與IBM，Globalfoundries和三星的合作夥伴一起，在12月的技術會議上公開詳細地對比7nm工藝。

三星的工藝將使用極紫外光刻技術實現令人印象深刻的增長，但台積電可能會首先進入市場，因為將EUV投入生產的挑戰。

使用EUV，GF和三星公司聲稱他們將在國際電子器件會議（IEDM）的摘要中提供「最緊密接觸的多晶矽間距（44 / 48nm）和金屬化間距（36nm）的FinFET」報告。

這些節距超越了英特爾在8月宣布的10nm工藝的56nm柵極間距，聲稱其明年計劃生產的節點具有行業領先的密度。

觀察家已經開始建議台積電和三星可能會反超英特爾，後者已經放慢了發布新工藝技術的步伐，因為摩爾定律的進展變得更加複雜和昂貴。

就其本身而言，TSMC將在IEDM描述使用浸沒步進器在其7nm工藝中製造的0.027μm2SRAM測試單元。

TSMC聲稱，256-Mbit，六電晶體SRAM具有迄今為止報告的最小單元尺寸，運動「低至0.5V的全讀/寫功能」。

摘要回應了台積電首次在9月份的一個活動上發布的7nm節點的聲明。

「該工藝將提供比公司的商業16nm FinFET工藝高三倍的柵極密度和速度增益（35-40％）或功率降低（> 65％）」，摘要說。

VLSI研究公司總裁G. DanHutcheson說：「IEDM顯然是7nm的即將到來的聚會。

「關鍵的消息是摩爾定律不停止，因為客戶正在移動到7nm，」他說。

星期一，當三星宣布其10nm工藝時，它說它會跳過使用今天的浸沒光刻的7nm版本。

相反，它表示將在2018年年底之前推出7nm EUV定位生產。

對於其部分，台積電錶示，它將至少有限的生產在2017年其7nm工藝與浸入步進機。

最終的結果是在18個月的過程中，晶片設計師將看到至少三個變體7nm - 從TSMC和Globalfoundries單獨浸沒變體和從GF /三星的EUV版本。

英特爾還沒有詳細說明其7nm節點，但表示它預計密度將上升，每個電晶體的成本下降。

為了加速信號傳輸，GF /三星7nm工藝將在厚應變鬆弛緩衝虛擬襯底上使用「雙應變溝道」，將拉伸應變NMOS和壓縮應變SiGe PMOS結合，分別增強驅動電流11％和20％，「它的摘要說。

該方法使用「新穎的溝槽外延以最小化高度縮小的接觸區域的電阻，」它補充說。

9月，GF說它使用沉浸式步進機開發了自己的7nm工藝，將在2018年投產。

它沒有提到它仍然與三星在EUV版本合作。

發言人說，7nm浸沒工藝的邏輯密度為1700萬門/ mm2。

「TSMC 7nm工藝使用」升高的源極/漏極外延工藝，應變電晶體溝道並減少寄生效應，一種新穎的接觸工藝，以及以不同金屬間距和堆疊為特徵的銅/低k互連方案。

台積電已經從三星手中搶走了大量業務，為蘋果iPhone 7製造了領先的SoC。

三星通過搶占了台積電的許多業務，從高通競爭的Snapdragon晶片。

來自蘋果、三星和其他公司的新高端智慧型手機的年度節奏促使代工廠比以往更快地轉向新節點。

Hutcheson說：「台積電的目標是一年的節奏，但是它是否成功還是這個問題。

只有少數公司預計能夠在短期內繼續追求摩爾定律。

在7nm或以上節點所需的EUV系統將花費超過1億美元。

EUV仍然在晶片生產量，缺陷密度和可靠性方面仍然滯後於批量生產的要求，但Hutcheson預計這些問題可以在未來兩年內解決。

Hutcheson說：「與四極圖案相比，EUV已經是生產值得稱讚的。

在接下來的兩年中，這些系統將在晶圓廠進行測試，使其製造價值，他說。

三星有一個戰略機會去領先其他主要代工廠，因為它可以在內存和邏輯晶圓廠測試EUV，可能加速其學習的步伐，他補充說。

英特爾決定放慢其步伐在某種程度上或是一個精明的改變。

英特爾在移動應用處理器工藝方面沒有任何領先話語權。

雖然它聲稱它贏得了為LG移動電子的SoC的業務，但其代工業務仍然很小。

其核心市場的PC處理器不再需要快速升級，它在伺服器市場已經占據主導地位。

在高端晶圓代工競爭中的賭注很高。

IC Insights預計今年總代工收入將增長8％，達到540.7億美元。

InternationalBusiness Strategies估計，從2017年10/7 nm晶圓第一年出貨量32.2萬片晶圓，到2025年將銷售220萬片10/7 nm晶圓，平均晶圓價格為8,000美元，市場規模達到176億美元。

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