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最強7nm LPP量產！三星姍姍來遲，或拉攏高通抗衡台積電

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集微網消息（文/Oliver）據外媒報導，三星電子於昨日宣布7nm LPP（Low Power Plus）製程已進入量產階段，並在工藝中成功應用極紫外光（EUV）微影技術。


據悉，三星7nm LPP採用EUV光刻，機器採購自荷蘭ASML（阿斯麥），型號為雙工件台NXE:3400B（光源功率280W），日產能1500片。

此次三星電子的7nm LPP工藝相比上一代10nm FinFET的面積減少了40%，性能提升20%，耗電減少50%，消耗的掩膜也減少了20%，因此，採用7nm工藝的客戶可以減輕設計和費用方面的負擔。

除此之外，三星電子首次將EUV技術應用於7LPP工藝，以此為始正式推進7nm工藝的商業化，也為實現3nm晶片級別的精細加工工藝打下了基礎。

另外，位於韓國華城市的S3廠EUV產線已初步投產，三星計劃2020年將再新設一條EUV產線，以服務高需求客戶。

雖然今年蘋果的訂單被台積電獨吞，但是隨著三星的新7nm工藝量產以及產能擴增，在往後的晶圓代工行業里，三星也有了一戰之力。


目前，高通新一代的5G基帶會採用三星的7nm LPP工藝，看起來驍龍8150/8180等SoC希望也很大。

今年三星被台積電搶走市場上絕大多數訂單後，幾乎只接了自己的單。

原因之一是台積電率先量產了第二代有EUV加持的7nm晶片，還有另一個原因是台積電作為一家純晶圓代工廠跟蘋果這樣的大公司沒有其他產品上的競爭關係。

在這種不利的情況下，三星似乎決定拉長戰線，在公司上個月公布的技術路線圖中，除了有明年將風險試產的5nm和4nm，首度導入閘極全環(GAA)電晶體的3nm也赫然在列，預計在2020年風險試產。



儘管目前來看，在今年7nm的大訂單已經幾乎都被台積電吃光的情況下，三星的7nm量產姍姍來遲，但是這一技術突破為日後更加精細的加工工藝奠定了基礎，指明了道路，也為三星以後抗衡甚至超越台積電埋下了伏筆。

（校對/叨叨）


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