絕地大逆轉！中芯14 納米製程研發成功！

8 月 9 日是中國半導體產業極具里程碑的日子！

這一天，禁錮數十年的高端生產技術被中芯國際一紙財報公開書文末，「14 納米 FinFET 技術已導入客戶」短短几行字給徹底解放！

第一代FinFET技術研發已進入客戶導入階段！也就意味著量產在即，這對於中芯國際、甚至整個中國半導體而言，都是一個足以令人欣喜若狂的歷史性事件！

中芯國際是中國大陸最大的晶圓代工廠，根據集邦諮詢旗下拓墣產業研究院數據，中芯國際在2018年上半年全球前十大晶圓代工業者排名中位列第五，從排名上看似乎並不算太差。

然而在製程工藝方面，中芯國際遠落後於排在其前面的台積電、格芯、聯電和三星幾家廠商。

從時間差看，台積電、三星均已在2015年量產14納米/16納米製程，格芯、聯電也於2017年量產14納米製程，中芯國際14納米製程落後台積電、三星至少超過三年半，落後格芯、聯電近兩年。

從先進位程看，目前台積電7納米製程已開始放量，預計今年第四季度營收占比可達20%，格芯7納米製程將於今年年底推出、2019年大規模量產，三星也已完成了7納米製程工藝開發，中芯國際落後不止一個世代。

而中芯國際可量產的最先進位程為28納米，這也是目前大陸晶圓代工廠的最先進位程，大陸業界均期待著中芯國際能早日量產14納米製程，以提升大陸晶圓代工整體水平。

為了追趕落差，2017年10月中芯國際延攬三星及台積電前高管梁孟松來擔任聯席執行長，在外界看來，梁孟松加入中芯國際後的最大任務就是助力14納米製程以下先進位程的研發量產。

據悉，梁孟松上任後進行了一系列調整：加強研發隊伍建設，強化責任制，調整更新14納米FinFET規劃，將3D FinFET工藝鎖定在高性能運算、低功耗晶片應用等。

在梁孟松和趙海軍雙CEO的帶領下，中芯國際在14納米製程研發上開始加大油門往前沖。

在2017年第四季度報中，中芯國際表示14 納米研發進程進展順利，預計將在2019年上半年量產14納米FinFET 工藝技術，比原先預期提前了半年。

2018年1月底，中芯國際旗下為配合14納米及以下先進位程建設的12英寸晶圓廠中芯南方擬增資擴股，中芯國際聯同國家集成電路基金和上海集成電路基金共投資102.4億美元，以加快14納米及以下先進位程研發和量產計劃。

中芯南方預期於2018年度完成廠房建設和無塵室裝修，目標月產能達3.5萬片，預計在2019年上半年投產。

2018年6月中旬，業界傳出消息，中芯國際14納米FinFET製程已接近研發完成階段，其試產的良率已達95%，離量產目標又進一步。

如今，中芯國際官方證實，14納米FinFET製程進入客戶導入階段，這無疑為中國晶圓代工業打了一針強心劑，代表著中芯國際及大陸晶圓代工水平與國際水平進一步拉近。

中芯國際成功研發 14 納米並進入生產後，將成為中國自主研發的最高端工藝技術，以全球半導體技術陣營的角度來看，中芯還將用力追趕聯電，給對方不小壓力，加上聯電也計劃到上海 A 股進行上市，未來彼此交鋒的機率只會多、不會少。

中芯國際身為國內半導體生產製造的領頭羊，經歷上一任執行長邱慈雲協助公司將營運結構大改造後，現在的聯合執行長梁孟松和趙海軍，一人負責高端技術研發，另一人負責生產製造的管理，協力讓中芯國際突破高端技術的研發和生產瓶頸。

梁孟松和趙海軍雙雙表示，中芯正處於過渡時期，在推進技術，建立平台和構築合作關係上已經看到令人鼓舞的初步進展，同時，中芯今年會朝著高個位數的營收成長邁進。

中芯國際在14納米 FinFET奠定基石後，公司指出下一步是推進第二代的 FinFET 工藝技術，以追求更好的 PPAC（power-performance-area-cost）。

業界期待，梁孟松加入後的中芯國際在高端技術上會快速推進，14 納米 FinFET 只是第一步，極可能在2019年就會緊接著推出第二代的 FinFET 技術，且因為台積電、三星都已進入 7 納米工藝，為此，第二代 FinFET 可能會定調為一個全新的製程技術，例如「8 納米」或是「9 納米」工藝節點，跳過傳統業界「10 納米」的命名，也作為和7 納米工藝之間的區隔。

恭喜中芯！