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台積電宣布 7nm+ 製程工藝大量鋪貨：基於 EUV 光刻設計

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台積電宣布，N7+ 7nm+工藝已經大批量供應給客戶，這是該公司乃至全產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。

EUV光刻採用波長為10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長直接降到13.5nm，研發，推動更先進工藝。

EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發出來，最初計劃用於70nm工藝，但光刻機指標一直達不到需求，加之成本居高不下，晶片廠商不得不引入沉浸式光刻、雙重乃至多重曝光來開發新工藝。

按照台積電的說法，他們的EUV光刻機已經可以在日常生產中穩定輸出超過250W的功率，完全可以滿足現在以及未來新工藝的需求。

三星7nm工藝也在引入EUV，不過進展相比台積電要落後很多。

台積電表示，7nm+的量產速度也是公司史上最快的之一，今年第二季度就已量產，並且在良品率上迅速達到了已經量產1年多的7nm工藝的水平。

7nm+相比於7nm在性能上可帶來15-20％的電晶體密度提升，同時改進了功耗。

台積電7nm+工藝已經應用於多家客戶的產品，但官方沒有給出具體名單，目前唯一可完全確認的就是華為麒麟990 5G，AMD下一代Zen 3架構也一直標註為7nm+工藝。

接下來，台積電將繼續奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm(N6)相當於7nm的升級版，設計規則完全兼容，繼續採用EUV技術，電晶體密度可比7nm提升18％，預計明年第一季度試產，明年底量產。

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