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台積電量產7nm+工藝 6nm將於2020年年底到來

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台積電在10月8日正式宣布，採用EUV光刻技術的N7+(7nm+)工藝已經大批量供應客戶，這將是台積電乃至全產業首個商用EUV極紫外光刻技術的工藝。

台積電沒有公布具體採用7nm+工藝的客戶名單，目前唯一可以確認的就是麒麟990 5G將採用7nm+工藝，AMD下一代Zen 3架構一直標註為7nm+工藝。

按照台積電的說法，EUV光刻機已經能穩定輸出日常生產需求的250W功率，完全滿足現在及未來新工藝的需求。

台積電同時表示，7nm+是台積電史上最快量產的工藝之一，在第二季度量產開始，良品率迅速達到已量產1年多的7nm工藝的水平。

與7nm相比，7nm+可為產品帶來15-20%的電晶體密度提升，並改進功耗控制。

台積電接下來還將奔向6nm、5nm、3nm、2nm，其中6nm(N6)相當於7nm的升級版，設計規則完全兼容，繼續採用EUV技術，電晶體密度比7nm提升18%，預計2020年第一季度試產，年底量產。

三星同樣計劃在7nm工藝節點上引入EUV，但其一直受困於良率問題，進展落後台積電不少。

EUV光刻技術早在20世紀80年代就已經研發出來，最初計劃用於70nm工藝。

EUV光刻採用波長10-14nm的極紫外光作為光源，可使曝光波長降低至13.5nm，推動半導體向更先進工藝發展。

但光刻機指標一直達不到需求，加上居高不下的成本，讓晶片廠商不得不選擇更複雜、過程更繁瑣的浸入式光刻、雙重乃至多重曝光實現新工藝的研發。

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