中國首台10納米光刻機問世，台灣網友：我們也能自己研發

據11月29日消息稱，由中科院，光電技術研究所主導研發的「超分辨光刻裝備項目」在四川成都通過了技術驗收，該光刻設備分辨力達到22納米，經過多重曝光技術，可實現10納米以下製程的晶片製造。

消息傳出後，有台灣網友在臉書上表示：「台灣是全球半導體製造的中心，台積電的晶片製造技術要比大陸先進，台灣如果要研發，是絕對有實力的！」

該光刻機裝備成本遠低於荷蘭的ASML，光電所的黑科技貢獻巨大！

我們知道歐洲荷蘭的ASML公司，是世界上最先進的光刻機生產商。

其最新研發的第五代光刻機，可用於實現20納米以下製程，比如14納米，10納米和7納米製程的晶片生產，在業界遙遙領先於同行。

它使用的是只有13.5納米波長的極紫外光（EUV）。

由於使用了極高分辨力的紫外光，就需要更精密靈敏的裝備硬體，因此，裝備成本也會大大提高。

而中國的這台光刻機採用的365納米波長光源，單次曝光可以達到22納米，利用多重曝光技術即可實現10納米以下製程晶片的製造。

由於它使用的波長更長，是普通的紫外線光，裝備的製造成本也相應降低。

這意味著它會在全球市場上，具有更強的競爭力。

我國的驗收專家認為，此次的研發項目打破了傳統光學光刻分辨力受限於光源波長限制的格局，從原理上突破分辨力衍射的極限，繞過了國外的高分辨光刻技術的智慧財產權壁壘，為我國在光刻機技術領域探索出了一條新道路。

而作為光刻機最核心技術的提供者，中國光電技術研究所自然功不可沒！

台網友稱：台灣是全球先進的半導體製造中心，我們也能造出光刻機。

大陸的光刻機裝備宣布獲得成功後，有台灣網友在臉書上評論稱：「台灣一直以來都是全球領先的半導體製造中心，而且台積電的晶片製造技術領先於大陸，台灣對於晶片製造的了解更強於大陸。

所以台灣要決心製造光刻機，是絕對有技術實力的。

」

無可否認，台灣是最先從事半導體製造行業的地區，大陸是後發追趕者。

然而，經過短短十多年的發展，大陸已經在半導體晶片，螢幕，儲存等等領域呈現出反超台灣的局面，台灣人的自我封閉和夜郎自大，讓台灣的半導體科技，嚴重落後於同時起步的日韓。

台灣能拿出台面的科技企業只有台積電，但台積電所謂的晶片先進位程，只是依賴於荷蘭ASML公司光刻技術的進步。

而大陸直接從光刻機裝備入手，不僅能解決晶片製造對外依賴的問題，還能在先進晶片製程技術上與荷蘭ASML公司一較高低。

這是台積電無法做到的。

我國該光刻機項目的突破，讓光刻機裝備的白菜價成為可能，台積電未來也只能採購大陸的光刻機（台積電已有採購大陸製造的蝕刻機），它遲早會知道，一個企業如果沒有掌握核心的裝備技術，它的好景也不會太長。