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2024年問世2nm工藝，摩爾定律可延續到0.1nm

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這幾年，雖然摩爾定律基本失效或者說越來越遲緩，但是在半導體工藝上，幾大巨頭卻是殺得興起。

Intel終於進入10nm工藝時代並將在後年轉入7nm，台積電、三星則紛紛完成了7nm工藝的布局並奔向5nm、3nm。

摩爾定律是半導體產業的金科玉律，已經指導行業發展了50多年，它是Intel聯合創始人之一的戈登·摩爾提出的，Intel也是摩爾定律最堅定的捍衛者，不過現在有人搶生意了，台積電近來一直在大談摩爾定律的發展。

在近日開幕的科技創新論壇會議上，台積電研發負責人、技術研究副總經理黃漢森再次發表了他的觀點，那就是摩爾定律還會繼續存在，隨著電晶體密度更好，成本效益也會更高，受益的不只是邏輯晶片，內存、快閃記憶體晶片也會從摩爾定律中受益。

而在今年8月份的Hotchips會議上，黃漢森就已經有過類似的觀點了，碳納米管可以將半導體工藝推進到1.2nm尺度，最終可以達到0.1nm尺度，這相當於氫原子的大小級別了。

現在的製程定義不能再反應真正的科技水平了，氫原子級別的微縮才是創新，而且很多創新都是不可預見的。



儘管摩爾定律未來還會繼續有效，但在這次會議上黃漢森也提到現在描述工藝水平的XXnm說法已經不科學了，因為它與電晶體柵極已經不是絕對相關了，製程節點已經變成了一種營銷遊戲，與科技本身的特性沒什麼關係了。

按照台積電給出的指標，2nm工藝是一個重要節點，Metal Track(金屬單元高度)和3nm一樣維持在5x，同時Gate Pitch(電晶體柵極間距)縮小到30nm，Metal Pitch(金屬間距)縮小到20nm，相比於3nm都小了23％。

台積電沒有透露2nm工藝所需要的技術和材料，性能、功耗等指標更是無從談起。

而看電晶體結構示意圖和目前並沒有明顯變化，能在矽半導體工藝上繼續壓榨到如此地步真是堪稱奇蹟，接下來就看能不能做到1nm了。



當然，在那之前，台積電還要接連經歷7nm+、6nm、5nm、3nm等多個工藝節點。

其中，7nm+首次引入EUV極紫外光刻技術，目前已經投入量產；6nm只是7nm的一個升級版，明年第一季度試產；5nm全面導入極紫外光刻，已經開始風險性試產，明年底之前量產，蘋果A14、AMD五代銳龍(Zen 4都有望採納)；3nm有望在2021年試產、2022年量產。

三星也早就規劃到了3nm，預期2021年量產。



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