「英特爾精尖製造日」來一場晶片技術大閱兵

2020-09-17

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一直以來，英特爾都是全球半導體行業的領軍者。

然而近些年來，英特爾著力於在大數據、物聯網、無人駕駛、5G、人工智慧等領域的企業轉型，並且不斷地在推進這些全新應用領域的技術和產品的發布。

相比以前，談論晶片技術和製造聲量少了，於是坊間開始對英特爾是否還處於行業領先地位產生懷疑，甚至有聲音在質疑摩爾定律是否依然存在。

本周的「英特爾精尖製造日」活動，可以看作是英特爾在晶片技術領域的一次閱兵。

還原了晶片製造業目前的真實現狀，展示了並證明了英特爾晶片技術仍然處於行業領先地位，同時還介紹了未來的發展趨勢和最新產品。

受邀參加的都是擁有多年從業經驗，對技術有深刻理解的合作夥伴、分析師、媒體人等持續關注英特爾公司、產品和技術的老鐵們。

因為現場平均每分鐘會出現2次超級專業的詞彙，類似鰭式場效應電晶體、柵極間距、有功柵極上觸點……之類，更多的是在談技術、講原理，缺少以往發布會上的那些產品、技術的直觀體驗，所以作為「我們就是喜歡英特爾的技術強大」的熱心粉絲確實有一定的圍觀難度。

於是，我們把本次活動的重點環節，以及英特爾的晶片技術到底有多強大，做了一下通俗化的翻譯，讓大家也能看懂英特爾的技術依然處於業界的領軍水平。

首先，必須明確的一點是摩爾定律依然有效存在，在它的指導下，英特爾的晶片每一年都持續降低產品價格並提升性能。

摩爾定律依然是英特爾核心的競爭優勢，目前英特爾在晶片的製造工藝上保持著大約三年的領先性。

當然你可以用現在行業內出現的10nm的案例來反駁。

不得不承認10nm製程很先進，但是這就說明英特爾的14nm技術落後了嗎？其實在鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元面積等幾個主要參數中，英特爾的14nm製程工藝與友商目前的10nm相當。

舉個特別通俗易懂的例子，咱老說工欲善其事，必先利其器。

晶片的製程也就是我們說的10nm、14nm，就是器。

就像頂級大廚用一把尺寸不是那麼合手的刀，依然可以做到和熟練小學徒一樣的庖丁解牛、遊刃有餘的。

在晶片加工領域，英特爾擁有世界頂尖的工程師、光刻機、材料工程、構架設計等等一系列的尖端技術。

即便用14nm的器，也是一樣可以做出和其它品牌用10nm的器才能加工出來的作品精細度。

於是，我們可以得出一個結論，晶片牛不牛，只看製程是不夠的，想要公正的評估應該用【邏輯電晶體】密度，它決定了晶片在同樣面積上有多少個有效的計算單元，也決定了激活這個晶片需要的電壓、電流的大小，從而直接影響到晶片的功耗大小。

當然，作為普通消費者是沒必要會算，只要認準這個標準即可。

英特爾在精尖製造日上正式提出了邏輯電晶體密度的計算公式，旨在糾正一些數字小把戲對於消費者產生的認知誤區。

如果你認為英特爾沒有製造10nm製程處理器的能力？那就尷尬了，在精尖製造日上首次亮相了10nm製程的Cannon Lake的晶圓，並且宣布將在今年年底正式投產Cannon Lake處理器。

英特爾10nm FinFET（鰭式場效應電晶體，可以理解為一種晶片內部結構，類似於蓋房子中的混凝土、磚混、木質等不同結構。

）擁有世界上最密集的電晶體和最小的柵極間距，實現了業內最高密度的電晶體集成。

到底有多厲害呢，我們來看一組具體數字：英特爾的10nm製程技術能夠達到每平方毫米超過1億枚電晶體的集成，而之前就號稱使用10nm製程的產品為5160萬及4800萬。

英特爾10nm預計將會領先整整一代，歸功於我們採用了超微縮技術。

超微縮是指英特爾在14nm和10nm製程節點上提升2.7被電晶體密度的技術。

我們不僅將應用10nm製程來製造世界上最先進的酷睿家族處理器，我們在為企業級領域準備的FPGA晶片也將正式跨入10nm時代。

最新的FPGA產品研發代號公布為「Falcon Mesa」。

還有針對全新物聯網晶片的22FFL製造工藝，它是22nm FinFET Low Power的縮寫，可以實現超低功耗的晶片擁有2GHz的製品，並且漏電降低100以上，這是保證物聯網能夠實現的重要基礎配備。

英特爾還將正式啟動為ARM處理器代工的工作。

有英特爾生產的ARM Cortex-A75內核採用標準設計流程，可實現超過3GHz的頻率，再看看目前時間上最先進的手機處理器，同樣也是10nm製程，大核頻率為2.45GHz，高低立現。

是不是被震撼到了？不僅這樣，其實英特爾的頂尖工程師團隊已經在研究5nm、3nm的製程了。

從10nm再往下走，我們不能像以往節點一樣，通過簡單地縮小柵極寬度來推進位程。

勢必霈要昂貴的全新電晶體架構、溝道材料和內部連接。

很可能將從運行電壓在0.75-0.8V的矽器件，轉而使用運行電壓為0.5V的鍺器件，這就需要在材料的研發和生產工藝完善上面下功夫。

甚至需要更高端、更昂貴光刻機。

不巧，這些英特爾都有準備——包括能夠實現低漏電、更高凈電流的納米線電晶體技術；全新的III-V材料電晶體技術；3D堆疊技術；密集內存、密集互聯技術；EUV（極紫外光刻Extreme Ultraviolet Lithography）圖案成形技術，甚至我們還更超前一部開始研發神經元計算單元和自旋電子，用以儲備計算技術更進一步的劃時代發展。

目前是智能互聯的時代，數據洪流洶湧而生，對計算力的需求前所未有。

未來我們很快會邁人工智慧時代，會面臨對計算力更大的饑渴。

始終保持領先製程工藝，並不斷提供躍升計算力的英特爾依舊會勤勤懇懇、兢兢業業的突破技術壁壘和持續創新突破，成為整個科技產業進步的有力推動者。

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2020-09-02

亮劍精尖製造英特爾前沿已觸及3nm工藝

2017-09-20 05:01:00 作者：尹航「老虎不說話，當我們是病貓！」這是英特爾公司全球副總裁、兼中國區總裁楊旭在英特爾精尖製造日媒體群訪環節中的一句話，調侃中不難看出十足的底氣和霸氣。

「英特爾精尖製造日」來一場晶片技術大閱兵

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