除了10納米 英特爾製造日還推出了64層3D NAND SSD

「英特爾精尖製造日」活動9月19日在北京舉行，展示了英特爾製程工藝的多項重要進展，包括：英特爾10納米製程功耗和性能的最新細節，英特爾首款10納米FPGA的計劃，並宣布了業內首款面向數據中心應用的64層3D NAND產品已實現商用並出貨。

「英特爾遵循摩爾定律，持續向前推進位程工藝，每一代都會帶來更強的功能和性能、更高的能效、更低的電晶體成本，」英特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smith表示，「很高興首次在中國與大家分享英特爾製程工藝路線圖中的多項重要進展，展現了我們持續推動摩爾定律向前發展所獲得的豐碩成果。

」

英特爾全球副總裁兼中國區總裁楊旭

Stacy Smith進一步表示，英特爾推動摩爾定律向前發展的能力——每一年都持續降低產品價格並提升其性能——是英特爾的核心競爭優勢。

英特爾一直以來都是並將繼續成為推動摩爾定律向前發展的技術領導者，目前英特爾在製程工藝上保持著大約三年的領先性。

英特爾執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy Smit

披露10納米製程的功耗和性能最新進展

英特爾高級院士馬博（Mark Bohr）介紹了英特爾10納米製程工藝的最新細節，展現了英特爾的技術領先性。

在電晶體密度和電晶體性能方面，英特爾10納米均領先其他競爭友商「10納米」整整一代。

通過採用超微縮技術（hyper scaling），英特爾10納米製程工藝擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，從而實現了業內最高的電晶體密度。

超微縮指的是英特爾在14納米和10納米製程節點上提升2.7倍電晶體密度的技術。

在此次「英特爾精尖製造日」活動上，英特爾「Cannon Lake」10納米晶圓全球首次公開亮相。

馬博還演示了他提出的電晶體密度計算公式，用以規範電晶體密度的通用衡量標準，以此釐清當前業內製程節點命名亂象，這也是英特爾不懈的堅持和努力，將有助於更加容易地比較不同廠商之間的技術。

介紹22FFL的功耗和性能最新進展

馬博同時介紹了英特爾22FFL功耗和性能的最新細節。

22FFL是在2017年3月美國「英特爾精尖製造日」活動上首次宣布的一種面向移動應用的超低功耗FinFET技術。

英特爾22FFL可帶來一流的CPU性能，實現超過2GHz的主頻以及漏電降低100倍以上的超低功耗。

此外，22FFL晶圓在本次活動上全球首次公開亮相。

揭曉10納米FPGA產品計劃

在本次活動上，英特爾公布了採用英特爾10納米製程工藝和晶圓代工平台的下一代FPGA計劃。

研發代號為「Falcon Mesa」的FPGA產品將帶來全新水平的性能，以支持數據中心、企業級和網絡環境中日益增長的帶寬需求。

ARM在10納米製程合作方面取得重大進展

在2016年8月於舊金山舉行的英特爾信息技術峰會（IDF）上，英特爾晶圓代工宣布與ARM達成協議，雙方將加速基於英特爾10納米製程的ARM系統晶片開發和應用。

作為這一合作的結晶，今天的「英特爾精尖製造日」全球首次展示了ARM Cortex-A75 CPU內核的10納米測試晶片晶圓。

這款晶片採用行業標準設計流程，可實現超過3GHz的性能。

ARM總經理、副總裁兼合伙人Gus Yeun

發布業內首款面向數據中心的64層TLC 3D NAND固態盤

英特爾還宣布了業內首款面向數據中心的64層、三級單元（TLC）3D NAND固態盤產品已正式出貨。

該產品自2017年8月初便開始向部分頂級雲服務提供商發貨，旨在幫助客戶大幅提升存儲效率。

在存儲領域30年的專業積澱，使得英特爾可以推出優化的3D NAND浮柵架構和製造工藝。

英特爾的製程領先性，使其能夠快速把2017年6月推出的64層TLC固態盤產品組合，迅速從客戶端產品擴展到今天的數據中心固態盤產品。

到2017年年底，該產品將在更大範圍內上市。