英特爾精尖製造日 10納米晶圓首發

2020-09-12

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2017年9月19日，「英特爾精尖製造日」活動在北京舉行，英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭，英特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy J. Smith，英特爾高級院士、技術與製造事業部製程架構與集成總監Mark T. Bohr，英特爾公司技術與製造事業部副總裁、晶元代工業務聯席總經理Zane A. Ball等嘉賓出席本次活動，不僅分享了英特爾對於半導體行業未來發展看法和預期，同時還帶來大量乾貨：領先行業3年的14納米技術、用於數據中心的英特爾64層3D NAND固態硬碟、正在拓展的景園代工業務以及「Cannon Lake」10納米晶圓等等。

英特爾公司全球副總裁兼中國區總裁楊旭指出，隨著移動互聯發展，5G時代的到來，將會有更多的智能終端產生數據，預計到2020年全球將有500億台網際網路設備，產生44ZB數據（1ZB=1024EB，1EB=1024PB，1PB=1024TB，1TB=1024GB），全球電晶體產能將達到2.5X10的20次方。

海量數據將持續推動全球IC創新，英特爾將是未來計算的中心。

業界領先的技術及製造實力是英特爾能夠帶來卓越計算力應對海量數據需求的重要依仗。

在英特爾公司執行副總裁兼製造、運營與銷售集團總裁Stacy J. Smith的主題演講環節，首先介紹了英特爾在中國的「芯路」，同時擲地有聲的回答了目前業內對於摩爾定律的質疑。

Stacy Smith指出摩爾定律不會失效，並將繼續發揮作用。

作為摩爾定律的實踐，PC處理器每電晶體的加權平均成本（對標90納米相對刻度）到22納米、14納米、10納米穩步降低，將持續帶來效能、利潤的提升。

與此同時，英特爾業內領先地位沒有動搖，在14納米製程工藝仍舊領先競爭對手3年，並且在製造能力方面也讓對手望塵莫及。

據Stacy Smith介紹，英特爾技術與製造集團員工數量達到了3萬人，製造（潔凈）廠房面積在400萬平方英尺以上，每秒生產電晶體數量100億以上。

值得一提的是，英特爾進入中國的32年中，於中國共成長，深入市場布局半導體精尖製造，目前中國員工人數超過7000人，子2004年至今協議總投資130億美元以上，在大連設有晶圓廠，成都設有封裝測試工廠。

在本次「英特爾精尖製造日」活動上還宣布英特爾將拓展晶圓代工，對準不斷增長的高端晶圓代工市場。

作為「英特爾精尖製造日」活動的一波小高潮，Stacy Smith除了帶來用於數據中心的英特爾64層3D NAND固態硬碟外，還有「one more thing」——全球首次展示「Cannon Lake」10納米晶圓。

選擇在中國進行「Cannon Lake」10納米晶圓首秀，足以表達英特爾對於中國市場的重視。

在隨後英特爾高級院士、技術與製造事業部製程架構與集成總監Mark T. Bohr對於英特爾10納米製程工藝進行詳細介紹時指出，通過應用超微縮技術，較傳統工藝顯著提升了微縮水平，進一步降低每個電晶體的成本，提高性能功耗比。

最終英特爾10納米製程工藝在鰭片間距、柵極間距、最小金屬間距、邏輯單元高度、邏輯電晶體密度等每項指標均領先於對手的10納米技術。

據悉，「Cannon Lake」10納米晶圓擁有世界上最密集的電晶體和最小的金屬間距，從而實現了業內最高的電晶體密度，領先其他「10納米」整整一代。

英特爾10納米製程技術計劃於2017年下半年開始生產，聯繫此前8月正式發布的第八代酷睿處理器，用戶有望於今年底或者明年初體驗到採用Cannon Lake架構、10納米製程處理器的產品。

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2020-09-19

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